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长鑫存储试产17nm DRR5芯片，就在本年第二季度
3月22日消息，据台湾媒体报道，国产DRAM芯片厂商合肥长鑫存储将在今年二季度试产17nm工艺的DDR5内存芯片，并寻求扩大产能。报道称，目前合肥长鑫的17nm工艺DDR5内存芯片良率已经达到了40%，预计在今年二季度试产，出样片给到客户。虽然目前40%的良率较低，不过长鑫存储将会在接下来的时间里持续改进良率。根据此前长鑫存储公布的路线图也显示，长鑫存储目前正计划推出17nm DDR5/LPDDR5，后续还将推出10nm制程的产品。
3月22日消息，据台湾媒体报道，国产DRAM芯片厂商合肥长鑫存储将在今年二季度试产17nm工艺的DDR5内存芯片，并寻求扩大产能。报道称，目前合肥长鑫的17nm工艺DDR5内存芯片良率已经达到了40%，预计在今年二季度试产，出样片给到客户。虽然目前40%的良率较低，不过长鑫存储将会在接下来的时间里持续改进良率。根据此前长鑫存储公布的路线图也显示，长鑫存储目前正计划推出17nm DDR5/LPDDR5，后续还将推出10nm制程的产品。
