在下述的内容中,小编将会对基于EXB841的IGBT推挽驱动电路予以介绍,如果IGBT推挽驱动电路是您想要了解的焦点之一,不妨和小编共同阅读这篇文章哦。
设计高性能的驱动与保护电路是安全使用IGBT的关键技术.日本FUJI公司的EXB841芯片是一种典型的适用于300A以下IGBT的专用驱动电路,具有单电源、正负偏压、过流检测、保护、软
l 前言绝缘栅场效应晶体管(IGBT)作为一种复合型器件,集成了MOSFET的电压驱动和高开关频率及功率管低损耗、大功率的特点,在电机控制、开关电源、变流装置及许多要求快速、
引 言 多绝缘栅双极型晶体管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种由双极型晶体管与MOSFET组合的器件,它既具有MOSFET的栅极电压控制快速开关特性,又具有双极型晶体管大电流处理能力和低饱和压降的特
1 引 言 多绝缘栅双极型晶体管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种由双极型晶体管与MOSFET组合的器件,它既具有MOSFET的栅极电压控制快速开关特性,又具有双极型晶体管大电流处理能力和低饱和压降的
介绍了臭氧逆变电源的整体设计和IGBT对驱动电路的设计要求,指出了用EXB841直接驱动IGBT时存在的问题和不足,提出了应用ExB84l设计驱动电路的改进用法,并将优化电路成功应用于臭氧电源中。