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全新一代FeRAM，堆叠技术与QSPI加持实现更高速更大容量体验
FeRAM（铁电随机存取存储器）最为独特的优势在于它结合了非易失性和高速写入性能，这种特性是其他存储器无法同时具备的。与传统的DRAM虽然都能实现高速读写，但后者在断电后会丢失数据；而与Flash相比，尽管都具有非易失性，Flash的写入速度却远不及FeRAM。因此，FeRAM在能够保存数据的同时，还能实现几乎瞬时的写入操作，成为存储技术中独一无二的存在。
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瞄准智能制造、新能源汽车等新兴关键数据存储需求，FeRAM以独特性能发力智能物联时代增量市场
存储器是现代信息系统最关键的组件之一，在当前物联网与人工智能联合推动下的数据爆发时代，存储器行业的“加速键”随之开启。据YOLE统计，自2019年以来，存储器成为半导体增速最快的细分行业，总体市场空间从2019年的1110亿美元将增长至2025年的1850亿美元。细分市场中，以FeRAM(铁电存储)和ReRAM(电阻式存储)为代表的新型存储器市场增速最快，将从5亿美元增长到40亿美元，年复合增长率达到42%，发展潜力巨大。
