业内消息,近日日本官方表示计划扩大对与半导体或量子计算相关的四项技术的出口限制,这是全球管制战略技术出口的最新举措。该限制措施向所有国家/地区(包括最受惠的贸易伙伴韩国、新加坡和中国台湾)的此类货物将需要出口管制官员的批准。
11月22日消息,据外媒报导,韩国三星虽然抢先台积电量产了3nm GAA(Gate-all-around,环绕栅极)芯片,但不代表进展顺利。最新的爆料称,三星3nm GAA制程的良率非常糟,仅为20%,为了解决这困境,三星计划通过与美国公司合作提高良率。
据悉,从两个月前宣布在华城工厂已经大规模开始量产使用GAA(Gate-All-AroundT)全环绕栅极制程工艺的3nm芯片,到目前这批GAA架构的3nm代工产品已经发货,对过去长达几年的在和台积电竞争过程中陷入困局的三星来说,这次提前发布3nm芯片并出货一定程度上给予客户和自己一些信心,同时,据悉三星会基于GAA架构趁热打铁,快速推出4nm芯片竞争台积电,将此次速度优势发挥到最大。
6月20日消息,据BusinessKorea报道,三星电子正计划通过在未来三年内打造3纳米GAA(Gate-all-around)工艺来追赶世界第一大代工公司——台积电。
其中台积电表示,他们将会在2022年量产3nm工艺,不过,他们仍会选择FinFET晶体管技术,而三星则已经选择GAA技术,并且还成功流片,这也意味着他们离量产又近了一步。
苹果9月推出 A14 仿生芯片,接着华为麒麟 9000 系列芯片也将随Mate40 系列手机一起推出,而高通新一代骁龙 875也将在12月初发布,相同的是芯片都将是采用5nm 工艺,同时也意味着半导体工艺 5nm 的时代正在全面到来。
根据台湾经济日报报道,近日台积电在2nm研发上取得重大突破,目前已找到路径,将切入全环栅场效应晶体管GAA,这是台积电继从鳍式场效应晶体管FinFET技术取得全球领先地位之后,向另一全新的技术节点迈进
7月13日消息,据台湾媒体报道,台积电冲刺先进制程,在2nm研发有重大突破,已成功找到路径,将切入环绕式栅极技术(gate-all-around,简称GAA)技术。 台积电 台媒称,三星已决定在3n
据报道,台积电在 2nm 研发有重大突破,并且已成功找到路径,台积电2nm预计将在2023至2024推出,该技术为切入环绕式栅极技术 (gate-all-around,简称 GAA技术)。尽管5nm刚实现量产不久,台积电和三星就开始瞄准更先进的制程。
由于众所周知的原因,美国正在收紧高科技的出口,日前美国政府制定了一份新的高科技出口禁令,包括量子计算机、3D打印及GAA晶体管技术等在内,这其中GAA晶体管技术是半导体行业的新一代技术关键。 大家都知
尽管日本严格管制半导体材料多少都会影响三星的芯片、面板研发、生产,但是上周三星依然在日本举行了“三星晶圆代工论坛”SFF会议,公布了旗下新一代工艺的进展,其中3nm工艺明年就完成开发了。 三星在10n
本月4日起,日本宣布管制对韩国出口光刻胶、氟化聚酰亚胺和氟化氢这三种重要原材料,此举使得韩国面板、半导体两大支柱行业面临危机,三星等公司更是急于获得稳定的原料来源,否则旗下的存储芯片、面板生产都会停产