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基于GaN 肖特基二极管的大功率微波限幅技术研究
随着高功率微波技术的发展 ,超宽带 、高功率等强电磁技术对电子化设备威胁越来越大 ,使用高 功率微波摧毁电子信息装备成为了干扰通信系统的重要方式 。 对高功率微波的防护主要分为前 门防护和后门防护 , 限幅器作为前门防护的重要微波器件也面临越来越高的要求 。本文首先介绍 了 GaN材料及肖特基二极管的器件特点和性能优势 , 然后论文介绍了以半导体器件为基础的限幅器原理及电路结构 ,并对以 GaN 肖特基二极管为基础的新一代大功率微波限幅技术研究进展进行论述 。
