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ROHM开发出可更大程度激发GaN器件性能的超高速栅极驱动器IC
采用业界先进的纳秒量级栅极驱动技术，助力LiDAR和数据中心等应用的小型化和进一步节能
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ROHM确立可以更大程度激发GaN器件性能的“超高速驱动控制”IC 技术
将GaN器件与控制IC相结合，助力电源应用进一步节能和小型化
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世代更替
人类世代的演变很慢，在现在人们的记忆中，有“婴儿潮”一代，然后是X世代、千禧一代（Y世代）和Z世代，最后到现在又奇怪地称为“A”世代。我觉得这是因为字母已经被用光了。而在半导体领域，世代的发展较快，从2020年11月UnitedSiC推出750V SiC FET开始，UnitedSiC SiC FET现已发展到了第4代。
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ROHM开发出针对150V GaN HEMT的8V栅极耐压技术
～解决了GaN器件的栅极耐压问题，并有助于基站和数据中心等领域的电源实现更低功耗和小型化～
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浅谈GaN器件与数据中心的关系
在我们现在的日常生活中，每天都有不断增长的数据被产生、存储及服务，而社交网络、在线视频、物联网设备和汽车高级驾驶员辅助系统(ADAS)则是这些数据尤其主要的贡献者。以ADAS为例，数据存储咨询公
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