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使用双向 GaN 开关实现单级功率转换
英飞凌的单片双向 GaN HEMT 基于其 CoolGaN 技术，代表了电力电子领域的一项非凡创新，特别是在实现单级功率转换方面。这些 BDS 有助于开发具有更少组件、更低成本和简化设计的转换器，与传统两级方法相比具有显着优势。
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通过自动动态开关测试研究 p-GaN HEMT 上的电应力
氮化镓(GaN)基功率半导体在功率转换方面具有许多优势。它们在许多应用中的使用不断增加，例如移动设备的电源适配器和数据中心的电源。横向高电子迁移率晶体管 (HEMT) 是应用最广泛的 GaN 器件。该器件的退化机制已被广泛研究并被纳入可靠性测试标准。
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双向GaN功率IC有何用途？
双向 GaN 电源 IC 适用于各种应用，从电机驱动器和可再生能源逆变器到 USB 充电器、便携式电子设备、电动自行车等。本文介绍了双向 GaN 开关的应用可能性示例。
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提高 GaN HEMT 功率器件的短路耐受时间
在工业电机驱动功率转换中采用宽带隙 (WBG) 功率器件可以显著提高系统效率和功率密度，并提供其他优势，例如更少的可听噪声和更快的切换带来的更精确的控制。在这些应用中，降低转换损耗是实现净零碳足迹以应对气候变化的关键部分，因为电机驱动器占总用电量的 60%。在本文中，我们将讨论氮化镓 (GaN) HEMT 功率器件中的一个关键参数，即短路耐受时间 (SCWT)。
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集成电路 p 栅极 GaN HEMT 中的栅极过压稳定性
功率转换器中使用的氮化镓 (GaN) 器件具有多种优势，包括更高的效率、功率密度和高频开关。横向 GaN 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 功率器件在此类应用中实现了强劲的市场增长。这种本质上为耗尽模式的器件的栅极驱动具有挑战性，有许多解决方案可以将其转变为稳健的增强模式操作。
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我们能获得更好的音频放大器吗？是的，用氮化镓！
音频是一个复杂的应用，尤其是对于发烧友领域各个层面的需求。最近，基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT）技术规格已经为更好利用D类放大器性能铺平了道路。
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利用阻性负载增强LNA稳定性(上)
本文提出了一个预测在放大器的输入和输出端口增加阻性负载以改善稳定性和噪声指数的新方法。该方法在宽广的频率范围内有效，能够用于低噪声放大器(LNA)和宽带放大器。
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利用阻性负载增强LNA稳定性(下)
本文提出了一个预测在放大器的输入和输出端口增加阻性负载以改善稳定性和噪声指数的新方法。该方法在宽广的频率范围内有效，能够用于低噪声放大器(LNA)和宽带放大器。
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氮化镓功率技术大热，Transphorm创新HEMT结构“剑走偏锋”高压器件
氮化镓技术因其在低功耗、小尺寸等特性设计上的独特优势和成熟规模化的生产能力，近年来在功率器件市场大受欢迎。在前不久举办的EEVIA第五届ICT技术趋势论坛上，这个主题受到国内媒体的集体“围观”。富士
