INGAAS

2×8低噪声InGaAs/InP APD读出电路设计

日本转换效率24.2％的多结太阳能电池问世

日本产业技术综合研究所（AIST，简称产综研）2014年6月24日在“AIST光伏发电研究成果报告会2014”上宣布开发出了“SmartStack”技术，可粘合由异种半导体构成的太阳能电池的pn层。利用该技术可在Si类和CIGS类太阳能电

IMEC台积电高通合作为III-V FinFET采用InGaAs晶体管

InGaAs晶体管元器件交易网讯 11月6日消息，据外媒 Electronicsweekly报道， IMEC宣布已为III-V FinFET 组装300mm 制程晶圆片，该晶圆片采用了铟砷化镓(化学符号为InGaAs)、磷化铟( indium phosphide)化合物，将容纳近

我国近红外光谱仪器发展历史、现状及未来趋势

随着近红外光谱分析技术在农业、石化、制药、食品、烟草等多个领域的应用，我国近红外光谱仪器发展依然取得了诸多成功，但同样也存在着一些问题和挑战。近红外光谱仪器的发展和市场需求又如何呢？我国早期近红外光谱

夏普三结化合物太阳电池单元转换效率达36.9%

近日，夏普宣布其三结化合物太阳电池的单元转换效率达到了36.9%。该数值比夏普2009年创下的35.8%高出1.1个百分点，刷新了全球非聚光太阳电池最高纪录。转换效率的测量是由日本产业技术综合研究所实施的，单元面积

InGaAs线列探测器对航空航天领域影响深远

近日，中科院长春光学精密机械与物理研究所宋航研究员主持的重点项目“室温工作的高In组分短波InGaAs线列探测器材料与器件研究” 通过项目结题验收。专家组由来自我国材料科学界知名专家组成，基金委领导和工程与材料

2×8低噪声InGaAs／InP APD读出电路设计

对In0．53Ga0.47As／InP雪崩光电二极管(APD)探测器进行了特性分析。以大阵列研究为基础，结合器件特性设计了一个2×8低噪声读出电路(ROIC)，电路主要由电容反馈互阻放大器(CTIA)和相关双采样(CDS)电路单元构成，并对读出电路的时序、积分电容等进行了设计。电路采用0．6 μm CMOS工艺流片，芯片面积为2 mm×2 mm，电荷存储能力为5×107个，功耗小，噪声低，设计达到预期要求。