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用离散的JFET在低噪声电路中放大小信号
在低噪声电路中放大传感器产生的小信号是一个非常普遍但困难的问题。设计者通常会使用带有双极输入的运算放大器来实现这种放大,因为他们固有的低闪烁(1/F)和宽带噪声。双极OP安培提出了另一个挑战,当小信号感兴趣是产生的传感器的高源阻抗,不能提供足够的电流到放大器的输入。双极OPS电流在纳米安培范围或更大范围内具有较高的输入偏置电流,相对于它们的离子和结场效应晶体管(JFET)的输入阻抗较低。
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场效应管工作原理详解
场效应管(Field-Effect Transistor，简称FET)是一种重要的半导体器件，属于电压控制型的电子元件。它的工作原理基于电场对导电沟道中载流子(电子或空穴)的控制，以此来改变通道中的电流大小。根据导电沟道类型和工作机理的不同，场效应管主要分为结型场效应管(Junction Field-Effect Transistor, JFET)和金属氧化物半导体场效应管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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正确选择低噪声放大器(LNA)
目前，有关低噪声放大器的讨论常常关注于RF/无线应用，但实际应用中，噪声对于低频模拟产品(如数据转换器缓冲、应变仪信号放大和麦克风前置放大器)也有很大影响，是一项重要
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CMOS放大器和JFET放大器的输入偏置电流
CMOS晶体管的栅极 (CMOS运算放大器的输入端)有极低的输入电流。必须设计附加的电路来对脆弱的栅极进行ESD和EOS保护。这些附加的电路是输入偏置电流的主要来源。这些保护电路一般都通过在电源轨之间接入钳位二极管来
