MOS器件

一种应用于深亚微米存储器的电荷泵设计

因只读存储器的基本存储单元只进行一次编程，编程后的数据能长时间保存，且在编程时需要流过mA级以上的电流，所以只读存储器编程时通常采用外加编程高压，内部的电荷泵。在

MOSFET双峰效应的评估方法简介

金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)是由一个金氧半(MOS)二机体和两个与其紧密邻接的P-n接面(p-n junction)所组成。自从在1960年首次证明后，MOSFET快速的发展

恩智浦推出新型汽车级TrenchMOS器件

21ic讯 恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V.日前宣布推出全新汽车级功率MOSFET器件系列，该系列采用恩智浦的Trench 6技术，具有极低导通电阻（RDSon）、极高的开关性能以及出色的品质和可靠性。恩智浦新型汽车级MOS

恩智浦推出新型汽车级TrenchMOS器件

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飞兆推出Generation II XS DrMOS器件

21ic讯 高效率、大电流处理能力和小外形尺寸是电源设计人员选择用于电压调节器解决方案的元件的至关重要的因素，为了满足这一需求，飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)开发出一系列Generation II XS DrMOS (集

飞兆推出Generation II XS DrMOS器件

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新款DrMOS器件（Vishay）

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出一款在一个PowerPAK® MLF6x6封装内集成DrMOS解决方案的器件 --- SiC769，该器件同时提供了高压侧和低压侧的N沟道MOSFET，外加全功能的MOSFET驱动器IC。SiC769分别

新款DrMOS器件（Vishay）

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出一款在一个PowerPAK® MLF6x6封装内集成DrMOS解决方案的器件 --- SiC769，该器件同时提供了高压侧和低压侧的N沟道MOSFET，外加全功能的MOSFET驱动器IC。SiC769分别

关于MOSFET的双峰效应量化评估研究

摘 要：介绍一种关于双峰效应(Double－Hump)的评估方法。通过对MOSFET的Id～Vg曲线的分析，双峰效应的程度可以用数字化评估。采取这种量化表征，细致地研究了双峰效应与掺杂浓度的关系。建立了MOS的Vt和Punch-throug

关于MOSFET的双峰效应量化评估研究

摘 要：介绍一种关于双峰效应(Double－Hump)的评估方法。通过对MOSFET的Id～Vg曲线的分析，双峰效应的程度可以用数字化评估。采取这种量化表征，细致地研究了双峰效应与掺杂浓度的关系。建立了MOS的Vt和Punch-throug

Intel研发高管展望化合物半导体前景

新型组合式COOLMOS器件在开关电源中的应用研究

COOLMOS ICE2A165/265/365是Infineon technologies 公司推出的系列PWM+MOSFET二合一芯片。