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英飞凌推出先进的OptiMOS™功率MOSFET，进一步扩大采用PQFN 2x2 mm2封装的MOSFET器件的产品阵容
【2023年8月3日，德国慕尼黑讯】小型分立式功率MOSFET在节省空间、降低成本和简化应用设计方面发挥着至关重要的作用。此外，更高的功率密度还能实现灵活的布线并缩小系统的整体尺寸。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出先进的全新OptiMOS™功率MOSFET，进一步扩大其采用PQFN 2x2 mm2封装的功率MOSFET的产品阵容，此举旨在提供功率半导体行业标杆解决方案，在更小的封装尺寸内实现更高的效率和更加优异的性能。新产品广泛适用于各种应用，如服务器、通信、便携式充电器和无线充电器中开关电源（SMPS）里的同步整流等。此外，新产品在无人机中还可应用于小型无刷电机的电子速度控制器等。
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极端温度半导体解决方案供应商CISSOID授权世强硬创电商，提供车规级碳化硅MOSFET器件、IGBT功率模块等产品
7月，来自比利时的高温半导体解决方案供应商CISSOID正式与世强硬创电商签署授权代理协议，授权其代理旗下智能功率模块IPM、集成电路、分立器件等产品。
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美高森美新型30 kW三相Vienna PFC参考设计充分利用SiC二极管和MOSFET器件以提供高性能
致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差异化的领先半导体技术方案供应商美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC) 宣布提供采用碳化硅(SiC) 二极管和MOSFET器件的全新可扩展30 kW三相Vienna功率因数校正(PFC)拓扑参考设计。这款可扩展的用户友好解决方案由美高森美与北卡罗莱纳州立大学(NCSU)合作开发，非常适合快速电动车(EV)充电和其它大功率汽车和工业应用;此外，它亦可通过美高森美功能强大的SiC MOSFET和二极管，为客户提供更高
