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Vishay大幅扩充 E系列650V N沟道功率MOSFET家族
新的E系列器件采用Vishay Siliconix超级结技术，导通电阻低至30mΩ、电流达6A～105A，在8种封装中实现低FOM和高功率密度21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc宣
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Vishay Siliconix 扩展ThunderFET®的电压范围
150 V N沟道TrenchFET®功率MOSFET为DC/DC应用提供18mΩ导通电阻21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，发布新款采用热增强型PowerPAK® SO-8封装的新
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Vishay Siliconix 扩展ThunderFET的电压范围
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，发布新款采用热增强型PowerPAK® SO-8封装的新款N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiR872ADP，将该公司的ThunderFET®技术的电压扩展至150V。Vishay Silico
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Vishay Siliconix 推出 N沟道TrenchFET®功率MOSFET
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款8V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiA436DJ。该器件采用占位面积2mm x 2mm的热增强型PowerPAK® SC-70封装，具有N沟道器件中最低的导通电阻。 新的Si
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Vishay Siliconix 30 V P沟道芯片级MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，引入两款在尺寸和导通电阻上设立了新的行业基准的p沟道30V器件，扩充其MICRO FOOT® TrenchFET® Gen III功率MOSFET家族。新的Si8497DB是业内首款采用小巧的1mm x 1.
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Vishay Siliconix推出通过JAN认证N沟道功率MOSFET
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布， Vishay Siliconix推出新款n沟道功率MOSFET通过JAN认证的，分别是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV。对于军工、航天和航空应
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Vishay Siliconix推出超小N沟道和P沟道功率MOSFET
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出业内采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片级封装的N沟道和P沟道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N沟道Si8802DB和P沟道Si8805EDB TrenchFET®功率MOSFET所用的M
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Vishay Siliconix发布新款E系列MOSFET器件
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列600V和650V n沟道功率MOSFET---E系列器件。新产品在10V下具有64mΩ～190mΩ的超低最大导通电阻，以及22A～47A的额定电流范围。E系列MOSFET基于
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Vishay Siliconix新款8V功率MOSFET创业内最低导通电阻纪录
21ic讯 日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，发布占位面积为1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiB437EDKT。此外，SiB437EDKT是唯一能在1.2V下导通的此类器件。新款SiB437EDK
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Vishay Siliconix推出尺寸极小新款低压模拟开关
21ic讯 日前Vishay 宣布推出3款新型单极双掷（SPDT）和双路的双极双掷（DPDT）CMOS低压模拟开关--- DG2735A、DG2725和DG2599。这些器件具有低工作电压和低导通电阻，采用小尺寸miniQFN封装，可在空间受限的便携式终端
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Vishay Siliconix推出高效集成DrMOS解决方案
21ic讯 Vishay Intertechnology, Inc.推出具有为PWM优化的高边和低边N沟道MOSFET、全功能MOSFET驱动IC、自举二极管的集成DrMOS解决方案---SiC779CD。器件的工作频率超过1MHz，效率大于93%。所有这些都集成在低外形、
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Vishay Siliconix推出高效集成DrMOS解决方案
21ic讯 Vishay Intertechnology, Inc.推出具有为PWM优化的高边和低边N沟道MOSFET、全功能MOSFET驱动IC、自举二极管的集成DrMOS解决方案---SiC779CD。器件的工作频率超过1MHz，效率大于93%。所有这些都集成在低外形、
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N沟道功率MOSFET（Vishay Siliconix）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用热增强PowerPAK® SC-75封装、提供8V～30V VDS的功率MOSFET，扩大了N沟道TrenchFET®家族的阵容。今天发布的器件包括业界首款采用1.6mm x 1.6mm占位的30V器件
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N沟道功率MOSFET（Vishay Siliconix）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用热增强PowerPAK® SC-75封装、提供8V～30V VDS的功率MOSFET，扩大了N沟道TrenchFET®家族的阵容。今天发布的器件包括业界首款采用1.6mm x 1.6mm占位的30V器件
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新型Siliconix 20V TrenchFET第三代功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出一款新型 20V n 通道器件 --- SiR440DP，扩展了其第三代 TrenchFET® 功率 MOSFET 系列。该器件采用 PowerPAK® SO-8 封装，在 20V 额定电压时具有业界最低导通电阻及导
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新型Siliconix 20V TrenchFET第三代功率MOSFET（Vishay）
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出一款新型 20V n 通道器件 --- SiR440DP，扩展了其第三代 TrenchFET® 功率 MOSFET 系列。该器件采用 PowerPAK® SO-8 封装，在 20V 额定电压时具有业界最低导通电阻及导
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AnalogicTech与Siliconix公司协议和解专利诉讼
为移动消费电子产品提供电源管理半导体器件的开发商Advanced Analogic Technologies (AnalogicTech)，已和Vishay Intertechnology Inc.公司(NYSE股市代码：VSH)的子公司Siliconix在专利侵权诉讼案上达成了一项和解协
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