SOT-MRAM

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中国公司实现SOT-MRAM存储关键突破

12月26日消息，据媒体报道，在国际微电子领域顶级学术会议IEDM第70届年度会议上，来自中国的浙江驰拓科技发布了一项突破性的SOT-MRAM(自旋轨道矩磁性随机存取存储器)技术进展，解决了该技术在大规模生产中面临的主要挑战。

通信先锋
2024-12-27

SOT-MRAM