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将功率密度卷出新高度，TI发布集成驱动GaN LMG21/3100和汽车级隔离DC/DC UCC33420-Q1
功率密度是电源设计的永恒话题，而随着近年来各类创新应用对于功率等级的提高，要在同样甚至更小的体积中达成同样的供电需求，就势必要把功率密度推向更高的纬度。而追求电源设计功率密度的提升，最根本的是要从器件层面入手。对于电源芯片而言，提升功率密度绝非易事。在提升的同时，就会面对着来自散热、EMI等因素带来的反制。功率密度的提升绝非提高电压电流那么简单，而是需要来自芯片前道的材料、工艺、电路设计和来自后道封装的多方面配合。那么如何克服一系列的挑战，将电源芯片的功率密度卷出新高度？TI于近日发布的100V GaN驱动芯片LMG21/3100和隔离DC/DC UCC33420-Q1，我们可以从中找到答案。
