据业内消息, 上周美国无线半导体器件公司 Macom 宣布以 7500 万美元现金和 5000 万美元 Macom 股票收购了 Wolfspeed 旗下的射频(RF)器件业务,其中包括用于高性能射频和微波应用的氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)产品组合。
据业内消息,因SiC半导体需求增加,近日博格华纳向半导体制造商Wolfspeed投资5亿美元确保SiC产能。
据业内消息,Wolfspeed近日表示将投资数十亿美金在美国北卡罗来纳州查塔姆县建造采用领先前沿技术的SiC材料制造工厂,此工厂预计将提升现有SiC产能十倍,用于支持Wolfspeed未来长期的战略增长,建成后将成为世界上最大的SiC工厂,也会进一步加快SiC半导体在未来世界终端市场应用。
2021年10月19日,美国北卡罗来纳州达勒姆市与中国上海市讯 — 全球碳化硅(SiC)技术引领者 Wolfspeed, Inc. (NYSE: WOLF) 于近日宣布与致瞻科技(上海)有限公司的成功合作。致瞻科技(上海)有限公司是宽禁带器件应用和先进电能转换系统的创新者,该公司燃料电池汽车全碳化硅控制器采用了Wolfspeed® 1200V SiC MOSFET。
四款新型 GaN-on-SiC MMIC 器件,助力设计人员改进射频系统尺寸、重量和功率
– 新型隔离栅极驱动器板为电源模块提供紧凑的高性能设计 –
你知道用 SiC MOSFET来解决电源方案吗?它有什么特点?SiC器件凭借其业界最小的导通,开关损耗及其良好的体二极管反向恢复特性,在高性能功率变换领域的使用越来越广泛。SiC器件主要在汽车领域上应用,尤其是EV、混合动力车和燃料电池车等电动车应用领域。由此可见,SiC的降临大大提升了半导体器件的性能,这对电力电子行业的发展意义重大。
各行业所需高温半导体解决方案的领导者CISSOID日前宣布,为Wolfspeed提供强劲可靠的栅极驱动器,以支持其XM3碳化硅(SiC)MOSFET功率模块。
根据Wolfspeed的说法,该半桥模块利用了公司优化的第三代MOSFET技术。XM3的SiC封装最高支持175°C。 Wolfspeed表示,XM3功率模块平台可最大限度地发挥SiC的优势,同时保持模块和系统设计的稳健,简单和经济高效等特性。
2016年7月14日,英飞凌(Infineon Technologies)公司发布声明从美国LED大厂Cree公司手中收购其Wolfspeed Power & RF部门。这次收购还包括相关的功率和射频功率器件碳化硅晶圆衬底业务,全现金交易的收购价格为8.5亿