在太阳能光伏(PV)和储能应用中,提高功率密度已经成为一种趋势,另外我们还需要不断提高效率。碳化硅(SiC)功率器件提供了这个问题的解决方案。SiC器件是宽带隙器件,能够在高于1000 V dc的电压下工作,通常具有较低的漏源阻抗(RDSON)。SiC器件还能满足降低导电性从而提高效率的需求。SiC器件还能达到高于100 kHz的快速开关速度,而且开关过程中的寄生电容和相关电荷也比较低。但它们也存在一些缺点,包括要求栅极驱动器具有大于100 kV/μs的较高共模瞬变抗扰度(CMTI)。另一个缺点是,SiC