基本测试配置 图3给出了一种基本的C-V测量配置框图。由于C-V测量实际上是在交流频率下进行的,因此待测器件(DUT)的电容可以根据下列公式计算得到: CDUT = IDUT / 2πfVac,其中 IDUT是通过D
在准静态电容测量[1]中,我们通过测量电流和电荷来计算电容值。这种“斜率”方法使用简单,但是它的频率范围有限(1~10Hz),因而只能用于一些特殊情况下。 SMU1-力常数SMU2-测量
在探讨C-V测试系统的配置方法之前,了解半导体C-V测量技术[1]的局限性是很重要的: ·电容:从
通用测试 电容-电压(C-V)测试广泛用于测量半导体参数,尤其是MOSCAP和MOSFET结构。此外,利用C-V测量还可以对其他类型的半导体器件和工艺进行特征分析,包括双极结型
交流阻抗技术是最常用的电容测量技术[1]。它最适合于一般的低功率门电路,也适用于大多数测试结构和大多数探针。其优势在于所需的设备相对便宜,大多数电子实验室都可以直接找到。但是,它也有一些缺点
普通测试 电容-电压(C-V)测试广泛用于测量半导体器件,尤其是MOSCAP和MOSFET结构的参数。但是,通过C-V测量还能够对很多其他类型的半导体器件和工艺进行特征分析,包括双极结型晶体管(BJT)、JFET、
尽管很多C-V测量技术本身相对简单,但是以一种能够确保测量质量的方式实现C-V测试仪与探针台的连接却不是那么简单。目前探针台使用的机械手和探针卡多种多样,当我们试图在一个探针台上同时支持I-V、C-