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半导体C-V测量入门(2)

基本测试配置图3给出了一种基本的C-V测量配置框图。由于C-V测量实际上是在交流频率下进行的，因此待测器件（DUT）的电容可以根据下列公式计算得到： CDUT = IDUT / 2πfVac，其中 IDUT是通过D

测试测量
2018-10-31

c-v 半导体测量入门
C-V测量技术、技巧与陷阱——基于数字源表的准静态电容测

在准静态电容测量[1]中，我们通过测量电流和电荷来计算电容值。这种“斜率”方法使用简单，但是它的频率范围有限（1～10Hz），因而只能用于一些特殊情况下。 SMU1-力常数SMU2-测量

测试测量
2018-10-25

测量技术数字源表静态电容 c-v
C-V测量技术、技巧与陷阱—— C-V测量参数提取的局限性

在探讨C-V测试系统的配置方法之前，了解半导体C-V测量技术[1]的局限性是很重要的： ·电容：从

测试测量
2018-10-18

测量技术参数提取 c-v
Keithley技术文献：半导体C-V测量基础

通用测试电容-电压（C-V）测试广泛用于测量半导体参数，尤其是MOSCAP和MOSFET结构。此外，利用C-V测量还可以对其他类型的半导体器件和工艺进行特征分析，包括双极结型

功率器件
2018-10-16

MOSFET 电源技术解析 moscap 测量基础 c-v 半导体
C-V测量技术、技巧与陷阱—— C-V测量方法与应用的匹配

交流阻抗技术是最常用的电容测量技术[1]。它最适合于一般的低功率门电路，也适用于大多数测试结构和大多数探针。其优势在于所需的设备相对便宜，大多数电子实验室都可以直接找到。但是，它也有一些缺点

测试测量
2018-09-28

测量技术匹配 c-v
半导体C-V测量入门(1)

普通测试电容-电压（C-V）测试广泛用于测量半导体器件，尤其是MOSCAP和MOSFET结构的参数。但是，通过C-V测量还能够对很多其他类型的半导体器件和工艺进行特征分析，包括双极结型晶体管（BJT）、JFET、

测试测量
2018-09-24

c-v 半导体测量入门
C-V测量技术、技巧与陷阱——C-V测量技术连接与校正 I

尽管很多C-V测量技术本身相对简单，但是以一种能够确保测量质量的方式实现C-V测试仪与探针台的连接却不是那么简单。目前探针台使用的机械手和探针卡多种多样，当我们试图在一个探针台上同时支持I-V、C-

测试测量
2018-07-18

测量技术校正 c-v

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半导体C-V测量入门(2)

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半导体C-V测量入门(1)

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