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格芯量产eMRAM，基于22nm FD-SOI平台
格芯的eMRAM产品旨在替代高容量嵌入式NOR闪存(eFlash)，帮助设计人员扩展现有物联网和微控制器单元架构，以实现28nm以下技术节点的功率和密度优势。
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22nm FD-SOI工艺eMRAM年内量产，采用相关芯片的终端明年面世
格芯宣布基于22nm FD-SOI （22FDX）工艺平台，新型存储器eMRAM（嵌入式、磁阻型非易失性存储器）已投入生产。
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格芯推出基于22FDX平台且可批量生产的eMRAM
格芯近日宣布基于其22nm FD-SOI(22FDX)平台的嵌入式、磁阻型非易失性存储器(eMRAM)已投入生产。格芯正在接洽多家客户，计划2020年安排多次生产流片。此次公告是一个重要的行业里程碑，表明eMRAM可在物联网(IoT)、通用微控制器、汽车、终端人工智能和其他低功耗应用中作为先进工艺节点的高性价比选择。
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105°C高温下可擦写1亿次 传三星1Gb eMRAM内存良率已达90%
今年3月份，三星宣布全球第一家商业化规模量产eMRAM(嵌入式磁阻内存)，基于28nm FD-SOI(全耗尽型绝缘层上硅)成熟工艺，内存容量8Mb，可广泛应用于MCU微控制器、IoT物联网、AI人工智能领域。MRAM是一种非易失性存储，
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英特尔已准备好大批量生产eMRAM，基于FinFET工艺
不管是DRAM内存还是NAND闪存，最近都在跌价，今年初，集邦科技旗下的DRAMeXchange发布了2019年Q1季度DRAM内存价格趋势报告。根据他们的报告Q1季度内存市场均价跌幅将达20%，Q2
