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FinFET工艺的布局布线的三大挑战
随着高级工艺的演进，电路设计团队在最先进的晶片上系统内加载更多功能和性能的能力日益增强。与此同时，他们同样面临许多新的设计挑战。多重图案拆分给设计实施过程带来了许多重大布局限制，另外为降低功耗和
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格芯：终止7nm技术并不意味着对FinFET工艺的放弃
格芯经过慎重考虑，对产品路线图进行了重新的调整和定义，在宣布中止7nm等先进工艺的研发之后，公司将把资金投入到客户需求更加迫切的物联网、IoT、5G和汽车等行业。而在这一转型过程中，FinFET、FDX、RF和Analog Mixed Signal技术成为支撑格芯差异化发展战略的四大支柱。
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Radeon RX 590的包装图曝光：确实是12nm FinFET工艺
本来以为是风传的“Radeon RX 590”显卡“越来越有鼻子有眼”，消息人士甚至给出了11月15日发布，2099元的价格。据Hardwareluxx，两张Radeon RX 590的包装图新鲜曝光
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中芯发布Q2财报：营收达8.907亿美元，净利润大超预期
中芯目前仍处于过渡时期，但整体运营状况优于预期。目前已经在14nm FinFET技术开发上获得重大进展，第一代FinFET技术研发已进入客户导入阶段。28nm工艺方面，28nm HKC版本产量持续上升，良率达到业界水平.
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Mentor扩展解决方案以支持TSMC 7nm FinFET Plus和 12nm FinFET工艺技术
Mentor, a Siemens business 今日宣布 Mentor Calibre® nmPlatform 和 Analog FastSPICE™ (AFS™) Platform 获得 TSMC 12nm FinFET Compact Technology (12FFC) 和最新版本 7nm FinFET Plus 工艺的认证。Nitro-SoCTM 布局和布线系统也通过了认证，可以支持 TSMC 的 12FFC 工艺技术。
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Xilinx 16nm UltraScale+实现2至5倍的性能功耗比优势
台积公司的16nm FinFET工艺与赛灵思最新UltraRAM和SmartConnect技术相结合，使赛灵思能够继续为市场提供超越摩尔定律的价值优势。赛灵思凭借其28nm 7系列全可编程系列以及率先上市的20nm UltraScale™系列，
