-
基于magnum 2 测试系统的NAND FLASH VDNF64G08RS50MS4V25-III的测试技术研究
NAND FLASH在电子行业已经得到了广泛的应用，然而在生产过程中出现坏块和在使用过程中会出现坏块增长的情况，针对这种情况，本文介绍了一种基于magnum II 测试机的速测试的方法，实验结果表明，此方法能够有效提高FLASH的全空间测试效率。另外，针对NAND FLASH的关键时序参数，如tREA（读信号低电平到数据输出时间）和tBERS（块擦除时间）等，使用测试系统为器件施加适当的控制激励，完成NAND FLASH的时序配合，从而达到器件性能的测试要求。
-
基于magnum II测试系统的MRAM VDMR8M32测试技术研究
摘要: VDMR8M32是珠海欧比特公司自主研发的一种高速、大容量的TTL同步静态存储器(MRAM)，可利用其对大容量数据进行高速存取。本文首先介绍了该芯片的结构和原理，其次详细
-
基于magnum II测试系统的MRAM VDMR8M32测试技术研究
VDMR8M32是珠海欧比特公司自主研发的一种高速、大容量的TTL同步静态存储器(MRAM)，可利用其对大容量数据进行高速存取。本文首先介绍了该芯片的结构和原理，其次详细阐述了基于magnum II测试系统的测试技术研究，提出了采用magnum II测试系统的APG及其他模块实现对MRAM VDMR8M32进行电性测试及功能测试。其中功能测试包括全空间读写数据0测试，全空间读写数据1，以棋盘格方式进行全空间读写测试。另外，针对MRAM的关键时序参数，如TAVQV（地址有效到数据有效的时间）、TELQV（片选使能到数据有效的时间）、TGLQV（输出使能到输出数据有效的时间）等，使用测试系统为器件施加适当的控制激励，完成MRAM的时序配合，从而达到器件性能的测试要求。
