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CMOS工艺或将被取代？英特尔开发MESO逻辑器件，功耗降10倍！
近日，英特尔联合加州大学伯克利分校的研究人员开发了一种新的MESO(磁电自旋轨道)逻辑器件，这种常温量子材质制造的设备可以将芯片工作电压从3V减少到500mv，减少5倍，能耗降低10-30倍，而且运行速度也是CMOS工艺的5倍。
近日，英特尔联合加州大学伯克利分校的研究人员开发了一种新的MESO(磁电自旋轨道)逻辑器件，这种常温量子材质制造的设备可以将芯片工作电压从3V减少到500mv，减少5倍，能耗降低10-30倍，而且运行速度也是CMOS工艺的5倍。
