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新的900 V和1200 V SiC MOSFET用于高要求的应用，你了解吗？
什么是新的900 V和1200 V SiC MOSFET用于高要求的应用?它有什么作用?推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)，推出另两个碳化硅(SiC) MOSFET系列，扩展了其宽禁带(WBG)器件系列。 这些新器件适用于各种高要求的高增长应用，包括太阳能逆变器、电动汽车(EV)车载充电、不间断电源(UPS)、服务器电源和EV充电桩，提供的性能水平是硅(Si) MOSFET根本无法实现的。
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英飞凌650 V CoolSiC™ MOSFET系列解析
现在的电子产品离不开电子元器件，英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)进一步扩展其碳化硅(SiC)产品组合，推出650V器件。其全新发布的CoolSiC™ MOSFET满足了包括服务器、电信和工业SMPS、太阳能系统、能源存储和电池化成、不间断电源(UPS)、电机控制和驱动以及电动汽车充电在内的大量应用与日俱增的能效、功率密度和可靠性的需求。
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Fairchild发布具有一流效率和可靠性的SuperFET III MOSFET系列
Fairchild，现在是安森美半导体的一部分，今天推出了其SuperFET® III系列，用于650V N沟道MOSFET，这是该公司新一代的MOSFET，可满足最新的通信、服务器、电动车(EV)充电器和太阳能产品的更高功率密度、系统效率和优越的可靠性要求。
