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OptiMOS™源极底置25 V功率MOSFET，你知道吗？
什么是OptiMOS™源极底置25 V功率MOSFET?它有什么作用?英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)通过专注于解决当前电源管理设计面临的挑战，来实现系统创新和组件水平的改进。“源极底置”是符合行业标准的全新封装概念。英飞凌已推出第一批基于该封装概念的功率MOSFET，它们是采用PQFN 3.3x3.3 mm封装的OptiMOSTM 25 V 功率MOSFET。
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英飞凌推出基于PQFN 3.3x3.3 mm封装的OptiMOS™源极底置25 V功率MOSFET
【2020年2月18日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司通过专注于解决当前电源管理设计面临的挑战，来实现系统创新和组件水平的改进。
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OptiMOS 5 150 V大幅降低导通电阻和反向恢复电荷
英飞凌科技股份公司发布针对高能效设计和应用的OptiMOS™ 5 150 V产品组合。该产品家族进一步壮大了行业领先的最新一代OptiMOS™ 5功率MOSFET的阵容。新的150
