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比较 N 沟道 MOSFET 和 P 沟道 MOSFET：哪种最适合您的应用？
它们的反向掺杂分布是主要区别：p 通道 MOSFET 依靠空穴作为多数电荷载流子，产生空穴电流，而 n 通道器件利用电子，产生电子电流。由于电子的迁移率较高，约为空穴的两到三倍，因此在 p 通道器件中移动空穴比在 n 通道器件中移动电子更具挑战性。
它们的反向掺杂分布是主要区别：p 通道 MOSFET 依靠空穴作为多数电荷载流子，产生空穴电流，而 n 通道器件利用电子，产生电子电流。由于电子的迁移率较高，约为空穴的两到三倍，因此在 p 通道器件中移动空穴比在 n 通道器件中移动电子更具挑战性。
