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三星正式量产第5代V-NAND快闪存储器
据悉，第5代V-NAND快闪存储器除了采用全新Toggle DDR 4.0传输界面提升速率之外，也进一步强化性能和功耗，其工作电压从1.8V降至1.2V，写入速度也高达500us，比上一代V-NAND快闪存储器提升了30%，而读取速率的回应时间也缩短到50us。
据悉，第5代V-NAND快闪存储器除了采用全新Toggle DDR 4.0传输界面提升速率之外，也进一步强化性能和功耗，其工作电压从1.8V降至1.2V，写入速度也高达500us，比上一代V-NAND快闪存储器提升了30%，而读取速率的回应时间也缩短到50us。
