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[导读]绝缘栅极双极性晶体管(IGBT)是适用于高压应用的经济高效型解决方案,如车载充电器、非车载充电器、DC-DC快速充电器、开关模式电源(SMPS)应用。开关频率范围:直流至100kHz。IGBT可以是单一器件,甚至是半桥器件,如为图1所示设计选择的。

简介

绝缘栅极双极性晶体管(IGBT)是适用于高压应用的经济高效型解决方案,如车载充电器、非车载充电器、DC-DC快速充电器、开关模式电源(SMPS)应用。开关频率范围:直流至100kHz。IGBT可以是单一器件,甚至是半桥器件,如为图1所示设计选择的。

本应用笔记所述设计中的APTGT75A120 IGBT是快速沟槽器件,采用Microsemi Corporation®专有的视场光阑IGBT技术。该IGBT器件还具有低拖尾电流、高达20kHz的开关频率,以及由于对称设计,具有低杂散电感的软恢复并联二极管。选定IGBT模块的高集成度可在高频率下提供最优性能,并具有较低的结至外壳热阻。

使用ADI公司的栅极驱动技术驱动IGBT。ADuM4135栅极驱动器是一款单通道器件,在>25V的工作电压下(VDD至VSS),典型驱动能力为7A源电流和灌电流。该器件具有最小100kV/μs的共模瞬变抗扰度(CMTI)。ADuM4135可以提供高达30V的正向电源,因此,±15V电源足以满足此应用。

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图1.ADuM4135栅极驱动器模块


测试设置

电气设置

系统测试电路的电气设置如图2所示。直流电压施加于半桥两端的输入,900µF(C1)的解耦电容添加到输入级。输出级为200µH(L1)和50µF(C2)的电感电容(LC)滤波器级,对输出进行滤波,传送到2Ω至30Ω的负载(R1)。表1详述了测试设置功率器件。U1是用于HV+和HV−的直流电源,T1和T2是单个IGBT模块。

完整电气设置如图3所示,表2详细列出了测试中使用的设备。

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图2.系统测试电路的电气设置

表1.测试设置功率器件

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表2.完整设置设备

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图3.栅极驱动器配电板测试的连接图


测试结果

无负载测试

在无负载测试设置中,在模块输出端汲取低输出电流。在此应用中,使用一个30Ω的电阻。

表3显示无负载的电气测试设置的重要元件,且负载内的电流低。表4显示在模块上观察到的温度。表3和表4总结了所观察到的结果。图5至图10显示各种电压和开关频率上的开关波形的测试结果。

如表3中所示,测试1和测试2在600 V电压下执行。测试1在10kHz开关频率下执行,测试2在20kHz开关频率下执行。测试3在900V电压下执行,开关频率为10kHz。

图4显示无负载测试的电气设置。

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图4.无负载测试的电气设置

表3.无负载测试,对应插图

7.png

1.VDC是HV+和HV−电压。

2.IIN表示通过U1的输入电流。

表4.无负载测试,温度总结

8.png

1.所有温度都通过热摄像头记录。

2.从变压器测得。


开关IGBT的性能图

此部分测试结果显示不同目标电压下的开关波形,其中fSW=10kHz和20kHz。VDS是漏极-源极电压,VGS是栅极-源极电压。

图5.png

图5.VDC=600V,fSW=10kHz,无负载

图8.png

图8.VDC=600V,fSW=20kHz,无负载

图6.png

图6.VDC=600V,fSW=10kHz,无负载

图9.png

图9.VDC=900V,fSW=10kHz,无负载

图7.png

图7.VDC=600V,fSW=20kHz,无负载

图10.png

图10.VDC=900V,fSW=10kHz,无负载


负载测试

测试配置类似于图2所示的测试设置。表5总结了观察到的结果,图11至图16显示各种电压、频率和负载下的测试性能和结果。

测试4在200V、10kHz开关频率下执行,占空比为25%。测试5在600V、10kHz开关频率下执行,占空比为25%。测试6在900V、10kHz开关频率下执行,占空比为25%。

表5.负载测试

表5.png

1.IOUT是负载电阻R1中的输出电流。

2.VOUT是R1两端的输出电压。

3.POUT是输出功率(IOUT×VOUT)。


开关IGBT的性能图和无负载测试

此部分测试结果显示fSW=10kHz和20kHz的不同目标电压下的开关波形。

图11.png

图11.VDC=200V,fSW=10kHz,POUT=90.2W

图14.png

图14.VDC=600V,fSW=10kHz,POUT=791.1W

图12.png

图12.VDC=600V,fSW=10kHz,POUT=791.1W

图15.png

图15.VDC=900V,fSW =10kHz,POUT=1669.2W

图13.png

图13.VDC=200V,fSW=10kHz,POUT=90.2W

图16.png

图16.VDC=900V,fSW=10kHz,POUT=1669.2W


高电流测试

测试配置类似于图3中所示的物理设置。表6总结了观察到的结果,图17至图20显示各种电压、频率和负载下的测试性能和结果。

输出负载电阻视各个测试而异,如表1所示,其中2Ω到30Ω负载用于改变电流。测量VOUT,也就是R1两端的电压。

测试7在300V、10kHz开关频率下执行,占空比为25%。测试8在400V、10kHz开关频率下执行,占空比为25%。

表6.高电流测试

表6.png

1.PIN是输入电源(IIN×VIN),其中VIN是直流电源电压。


开关IGBT的性能图和负载测试

此部分测试结果显示fSW=10kHz和20kHz的不同目标电压下的开关波形。

图17.png

图17.VDC=300V,fSW=10kHz,POUT=1346.3W

图19.png

图19.VDC=300V,fSW=10kHz,POUT=1346.3W

图18.png

图18.VDC=400V,fSW=10kHz,POUT=2365.9W

图20.png

图20.VDC=400V,fSW=10kHz,POUT=2365.9W


去饱和测试

系统测试电路的电气设置如图21所示。直流电压施加于半桥两端的输入,900µF的解耦电容添加到输入级。此设置用于测试去饱和检测。在此应用中,最大IC=150A,其中IC是通过T1和T2的电流。

高端开关IGBT(T1)被83μH的电感旁路,T1开关必须关闭。

低端开关IGBT(T2)每500ms被驱动50μs。

表7详细列出了去饱和测试设置的功率器件。

图22显示电感L1中电流135A时的开关动作,图23显示电感L1中电流139A时的去饱和检测。

表7.功率器件去饱和测试的测试设置

表7.png

图21.png

图21.系统测试电路的电气设置

图22.png

图22.VDC<68V,fSW=2Hz,占空比=0.01%

图23.png

图23.VDC>68V,fSW=2Hz,占空比=0.01%


应用原理图

图24.png

图24.ADuM4135栅极驱动器板原理图


结论

ADuM4135栅极驱动器具有优异的电流驱动能力,合适的电源范围,还有100kV/µs的强大CMTI能力,在驱动IGBT时提供优良的性能。

本应用笔记中的测试结果提供的数据表明,ADuM4135评估板是驱动IGBT的高压应用的解决方案。


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