耐威科技8英寸GaN外延材料项目投产，有望再造一个新耐威

耐威科技从投建8英寸氮化镓（GaN）外延材料项目到正式投产，仅用了15个月，进展之快，让业界对这家新晋半导体公司的实力有了新的认识。

9月10日，聚能晶源（青岛）半导体材料有限公司“8英寸GaN外延材料项目投产暨产品发布仪式”在青岛市即墨区举行，意味着国内8英寸GaN外延材料再添新兵。而聚能晶源正是耐威科技发起成立的控股公司。

耐威科技董事长杨云春表示，耐威科技自上市以来，积极在物联网产业领域进行布局，重点发展MEMS和GaN业务；其中在GaN领域，耐威科技在即墨投资设立了聚能晶源公司，专注GaN外延材料的研发生长；在崂山投资设立了聚能创芯公司，专注GaN器件的开发设计。从入驻到项目建成投产，聚能晶源仅仅用了一年多的时间。

规模与体量上再造一个耐威

随着5G通讯、云计算、新型消费电子、智能白电、新能源汽车的应用兴起，对功率器件的性能提出了新的需求；但传统硅器件受材料特性所限，在性能方面满足不了新兴的需求，这就促使产业界寻找新的材料代替，以氮化镓为代表的第三代半导体就是一个很好的方向；同时，根据第三方机构预测，到2023年，功率氮化镓市场规模将达到4.23亿美元，复合增长率为93%。

在这一背景下，国内不少半导体厂商纷纷加码功率氮化镓市场。去年5月份，耐威科技宣布与袁理先生、青岛海丝民和半导体投资中心（有限合伙）、青岛民芯投资中心（有限合伙）共同投资设立两家控股子公司——聚能晶源（青岛）半导体材料有限公司与青岛聚能创芯微电子有限公司。

耐威科技两家控股子公司业务均与氮化镓相关：聚能创芯主要从事功率与微波器件，尤其是氮化镓功率与微波器件的设计、开发；聚能晶源主要从事半导体材料，尤其是氮化镓外延材料的设计、开发、生产。

如今，聚能晶源的8英寸GaN外延材料项目正式投产，将可以为聚能创芯的氮化镓功率提供材料，其氮化镓功率产品也将快速出货，两者相互推进，为耐威科技再上一个台阶提供很好的基础。

杨云春也表示，聚能晶源的8英寸GaN外延材料项目正式投产，耐威科技希望能以此为契机，积极把握第三代半导体产业的国产替代机遇，在青岛继续建设第三代半导体材料生产基地及器件设计中心，在规模与体量上再造一个耐威。

在本次投产仪式上，盛世投资管理合伙人刘新玉致辞称，第三代半导体材料具备独特性能，在半导体产业的国产替代进程中具有重要的战略意义，作为股东与战略合作伙伴，今天很高兴见到耐威科技在青岛即墨投资落地的聚能晶源8英寸GaN外延材料项目能够迅速建成投产，希望该项目今后能够为产业发展做出贡献。

耐威科技也曾表示，氮化镓外延材料的设计、开发、生产，有利于公司把握产业发展机遇，尽快拓展相关材料在重点装备、航空电子、5G 通信、物联网等领域的推广应用；有利于公司以传感为核心所进行的“材料-芯片-器件-系统-应用”的全面布局。

助力客户抢占GaN市场先机

聚能晶源自成立以来，先后攻克了GaN与Si材料之间晶格失配、大尺寸外延应力控制、高耐压GaN外延生长等技术难关，成功研制了达到全球业界领先水平的8英寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延晶圆。据了解，该型外延晶圆在实现了650V/700V高耐压能力的同时，保持了外延材料的高晶体质量、高均匀性与高可靠性，可以完全满足产业界中高压功率电子器件的应用需求。

耐威科技曾表示，在采用国际业界严苛判据标准的情况下，聚能晶源研制的外延晶圆在材料、机械、电学、耐压、耐高温、寿命等方面具有性能优势，能够保障相关材料与技术在5G通讯、云计算、快充电源、无线充电等领域得到安全可靠的应用。

此次，聚能晶源8英寸GaN外延材料项目正式量产，但其产品并不仅限于8英寸硅基氮化镓外延晶圆。据介绍，聚能晶源本次发布的相关产品包括8英寸硅基氮化镓外延晶圆与6英寸碳化硅基外延晶圆，可满足下一代功率与微波电子器件对于大尺寸、高质量、高一致性、高可靠性氮化镓外延材料的需求，为5G通讯、云计算、新型消费电子、智能白电、新能源汽车等领域提供核心元器件的材料保障。

除此之外，聚能晶源项目还掌握全球领先的8英寸硅基氮化镓外延与6英寸碳化硅基外延生长技术。在功率器件应用领域，产品系列包括8英寸AlGaN/GaN-on-Si外延晶圆与8英寸P-cap AlGaN/GaN-on-Si外延晶圆。同时，聚能晶源将自有先进8英寸GaN外延技术创新性地应用在微波领域，开发出了兼具高性能与大尺寸、低成本、可兼容标准8英寸器件加工工艺的8英寸AlGaN/GaN-on-HR Si外延晶圆。在硅基氮化镓之外，聚能晶源也拥有AlGaN/GaN-on-SiC外延晶圆产品线，满足客户在碳化硅基氮化镓外延材料方面的需求。

以聚能晶源此次展示的HVA650/HVA700型8英寸AlGaN/GaN-on-Si外延晶圆产品为例。该型GaN外延晶圆具有高晶体质量、低表面粗糙度、高一致性的材料特点。同时具有低导通电阻、高耐压、低漏电、耐高温的电学特性。值得一提的是，聚能晶源GaN外延晶圆具有优秀的材料可靠性，根据标准TDDB测试方法，其在标称耐压值下的长时有效寿命达到了10的9次方小时，处于国际业界领先水平。采用聚能晶源的GaN外延晶圆，客户在开发GaN器件时可实现高性能、高一致性、高良率、高可靠性等优势，帮助客户抢占第三代半导体器件领域的竞争先机。

据悉，聚能晶源8英寸GaN外延材料项目一期建成产能为年产1万片6-8英寸GaN外延晶圆，在规划的二期项目中，产能将达到年产20万片6-8英寸GaN外延晶圆。在聚能晶源项目的建设过程中，该项目得到了耐威科技股东国家集成电路产业投资基金、青岛市与即墨区各级政府、青岛城市建设投资集团的支持，聚能晶源项目也被评为青岛市重点项目。

或许，正如董事长杨云春所说，随着布局的落地，公司在青岛继续建设第三代半导体材料生产基地及器件设计中心，在规模与体量上再造一个耐威。