当前位置:首页 > 模拟 > ADI
[导读]射频(RF)放大器可采用引脚架构芯片级封装(LFCSP)和法兰封装,通过成熟的回流焊工艺安装在印刷电路板(PCB)上。PCB不仅充当器件之间的电气互联连接,还是放大器排热的主要途径(利用封装底部的金属块)。

简介

射频(RF)放大器可采用引脚架构芯片级封装(LFCSP)和法兰封装,通过成熟的回流焊工艺安装在印刷电路板(PCB)上。PCB不仅充当器件之间的电气互联连接,还是放大器排热的主要途径(利用封装底部的金属块)。

本应用笔记介绍热阻概念,并且提供一种技术,用于从裸片到采用LFCSP或法兰封装的典型RF放大器的散热器的热流动建模。

热概念回顾

热流

材料不同区域之间存在温度差时,热量从高温区流向低温区。这一过程与电流类似,电流经由电路,从高电势区域流向低电势区域。

热阻

所有材料都具有一定的导热性。热导率是衡量材料导热能力的标准。热导率值通常以瓦特每米开尔文(W/mK)或瓦特每英寸开尔文(W/inK)为单位。如果已知材料的热导率,则采用以下公式,以C/W或K/W为单位计算材料单位体积的热阻(θ):

1.jpg    (1)

其中:

Length表示材料的长度或厚度,以米为单位。

k为材料的热导率。

Area表示横截面积,以m2为单位。

温度

利用热流量等效于电流量的类比,本身具备热阻且支持热流流动的材料的温差如下:

∆T = Q × θ     (2)

其中:

∆T表示材料不同区域之间的温差(K或°C)。

Q表示热流(W)。

θ表示材料的热阻(C/W或K/W)。

器件的热阻

器件的热阻相当复杂,往往与温度呈非线性关系。因此,我们采用有限元分析方法建立器件的热模型。红外摄影技术可以确定器件连接处的温度和操作期间封装的温度。基于这些分析和测量结果,可以确定等效的热阻。在对器件实施测量的特定条件下,等效热阻是有效的,一般是在最大操作温度下。

参考表1,查看典型的RF放大器的绝对最大额定值表。

表1.典型的RF放大器的绝对最大额定值

2.png

对于LFCSP和法兰封装,假定封装外壳是封装底部的金属块。

最高结温

在给定的数据手册中,会在绝对最大额定值表中给出每个产品的最大结温(基于器件的半导体工艺)。在表1中,指定的维持百万小时MTTF的最大结温为225℃。指定的这个温度一般适用于氮化镓(GaN)器件。超过这个限值会导致器件的寿命缩短,且出现永久性的器件故障。

工作温度范围

器件的工作温度(TCASE)已在封装底座上给出。TCASE是封装底部金属块的温度。工作温度不是器件周围空气的温度。

如果已知TCASE和PDISS,则很容易计算得出结温(TJ)。例如,如果TCASE=75°C,PDISS=70W,则可以使用以下公式计算TJ

TJ= TCASE+ (θJC × PDISS)

= 75°C + (1.57°C/W × 70 W)

= 184.9°C

考量到器件的可靠性时,TJ是最重要的规格参数,决不能超过此数值。相反,如果可以通过降低PDISS,使TJ保持在最大可允许的水平之下,则TCASE可以超过指定的绝对最大额定值。在此例中,当外壳温度超过指定的最大值85°C时,可使用减额值636mW/°C来计算最大可允许的PDISS。例如,使用表1中的数据,当PDISS的限值为83W时,可允许的最大TCASE为95°C。PDISS可使用以下公式计算:

PDISS= 89.4 W − (636 mW/°C × 10°C)

= 83 W

使用此PDISS值,可以计算得出225°C结温,计算公式如下:

TJ= TCASE+ (θJC × PDISS)

= 95°C + (1.57°C/W × 83 W)     (3)

器件和PCB环境的热模型

为了充分了解器件周围的整个热环境,必须对器件的散热路径和材料进行建模。图1显示了安装在PCB和散热器上的LFCSP封装的截面原理图。在本例中,裸片生热,然后经由封装和PCB传输到散热器。要确定器件连接处的温度,必须计算热阻。利用热阻与热流,可计算得出结温。然后将结温与最大指定结温进行比较,以确定器件是否可靠地运行。

在图1中,器件连接处到散热器的散热路径定义如下:

• θJA是器件连接处到封装顶部周围空气的热阻。

• θJC是连接处到外壳(封装底部的金属块)的热阻。

• θSN63是焊料的热阻。

• θCU是PCB上镀铜的热阻。

• θVIACU是通孔上镀铜的热阻。

• θVIASN63是通孔中填充的焊料的热阻。

• θPCB是PCB层压材料的热阻。

在典型电路板中,包含多个通孔和多个PCB层。在计算系统截面的热阻时,会使用热电路计算各个热阻,并将串联热阻与并联热阻结合起来,以此确定器件的总热阻。

3.jpg

图1.安装在PCB和散热器上的LFCSP封装的热模型

系统的热阻计算

对于每个散热路径,都使用公式1来计算其热阻。要计算得出各个热阻值,必须已知材料的热导率。参见表2,查看PCB总成中常用材料的热导率。

表2.常用PCB材料的热导率

4.png

图2基于图1中所示的热模型,显示等效的热电路。TPKG表示封装底部的温度,TSINK表示散热器的温度。在图2中,假设封装(TA)周围的环境空气温度恒定不变。对于外层包有外壳的真实总成,TA可能随着功耗增加而升高。本分析忽略了散热路径至环境空气的温度,因为对于具有金属块的LFCSP和法兰封装,θJA要远大于θJC

5.jpg

图2.等效的热电路

热阻示例:HMC408LP3评估板

HMC408LP3功率放大器采用一块0.01英寸厚,由Rogers RO4350层压板构成的评估板。图3所示的接地焊盘面积为0.065×0.065英寸,上有5个直径为0.012英寸的通孔。电路板顶部和底部分别有1盎司镀铜(0.0014英寸厚)。通孔采用½盎司铜进行镀层(0.0007英寸厚)。装配期间,会在通孔中填塞SN63焊料。分析显示,几乎所有的热流都会流经焊料填塞的通孔。因此,在本分析中,余下的电路板布局都可忽略。

6.jpg

图3.接地焊盘布局

各个热阻都使用公式1计算得出。计算θSN63时,采用的SN63焊料的热导率为1.27W/inK,长度(或者焊接点的厚度)为0.002英寸,焊接面积为0.004225英寸(0.065英寸× 0.065英寸)。

7.jpg    (4)

接下来,以相似方式计算PCB顶部的铜镀层的值。铜镀层的热导率为10.008W/inK,长度为0.0014 英寸(1盎司铜),镀层面积为0.00366平方英寸(in2)。

8.jpg    (5)

对于通孔上铜镀层的面积,采用以下公式进行计算

面积 = π × (rO2 – rI2)     (6)

其中:

rO表示外径。

rI表示内径。

外径为0.006英寸,内径为0.0053英寸时,计算得出的面积为0.00002485 in2。通孔的长度为板的厚度(0.01英寸),铜的热导率为10.008 W/inK。

9.jpg    (7)

因为并排存在5个通孔,所以热阻要除以5。所以,θVIACU = 8.05°C/W。

以相似方式计算得出通孔的填塞焊料的值。

10.jpg    (8)

因为存在5个填塞通孔,所以等效热阻为θVIASN63 = 17.85°C/W。

接下来,使用0.01英寸长度、0.016 W/inK的Rogers RO4350热导率,以及0.00366 in2面积计算PCB的热阻。

11.jpg    (9)

在图2所示的等效热电路中,三个热阻(θPCB、θVIACU和θVIASN63)并联组合之后为5.37°C/W。在通孔中填塞焊料之后,热阻从8.05°C/W降低至5.37°C/W。最后,加上热阻串联的值,可以得出整个PCB总成的热阻。

θASSY = θSN63 + θCU + θEQUIV + θCU = 0.372 + 0.038 + 5.37 + 0.038 = 5.81°C/W     (10)

其中,θASSY表示总成的热阻。

确定功耗

热阻值确定后,必须确定热流(Q)值。对于RF器件,Q的值表示输入器件的总功率和器件输出的总功率之间的差值。总功率包括RF功率和直流功率。

Q = PINTOTAL − POUTTOTAL = (PINRF + PINDC) − POUTRF     (11)

其中:

PINTOTAL表示直流功率和RF输入功率之和。

POUTTOTAL表示器件输出的功率,与POUTRF相同。

PINRF表示RF输入功率。

PINDC表示直流输入功率。

POUTRF表示传输至负载的RF输出功率。

12.jpg

图4.HMC408LP3功耗与输入功率

对于HMC408LP3功率放大器,使用公式11来计算图4中所示的PDISS的值。图4显示了放大器的以下特性:

• 器件消耗约4 W功率,无RF输入信号。

• 采用RF信号时,PDISS的值由频率决定。

• 存在某一个输入功率,器件的功耗最低。

根据等效热阻、θTOTAL和Q,可以使用以下公式计算得出结温

ΔT = Q × θTOTAL    (12)

θTOTAL    = θASSY + θJC = 5.81 + 13.79 = 19.6°C/W     (13)

对于无RF输入功率的静止状态,Q = 4 W,且

∆T = 4.0 × 19.6 = 78.4°C     (14)

因为指定的HMC408LP3的最大结温为150°C,所以在PDISS=4W时,散热器的温度必须≤71.6°C(也就是说,78.4°C + 71.6°C = 150°C)。

HMC408LP3功率放大器正常运行时(例如,输入功率≤5dBm),功耗小于4W,这表示散热器的温度可以稍微高于71.6°C。但是,如果放大器在深度压缩环境中工作,且输入功率等效于15dBm,则PDISS升高,且要求散热器的温度低于71.6°C。

表3.热工作数据表

13.png

可靠性

组件的预期寿命与工作温度密切相关。在低于最大结温的温度下运行可以延长器件的使用寿命。超过最大结温会缩短使用寿命。因此,实施热分析可以确保在预期的操作条件下不会超过指定的最大结温。

结论

使用采用LFCSP和法兰封装的低结温表贴RF功率放大器来围装热阻迫使PCB不仅要充当器件之间的RF互连,还要用作导热路径以导走功率放大器的热量。

因此,θJC取代θJA,成为衡量LFCSP或法兰封装的重要热阻指标。

在这些计算中,最关键的指标是RF放大器的结温或通道温度(TJ)。只要不超过最大结温,那么其他标称限值,例如TCASE,则可以高于限值。


本站声明: 本文章由作者或相关机构授权发布,目的在于传递更多信息,并不代表本站赞同其观点,本站亦不保证或承诺内容真实性等。需要转载请联系该专栏作者,如若文章内容侵犯您的权益,请及时联系本站删除。
换一批
延伸阅读

9月2日消息,不造车的华为或将催生出更大的独角兽公司,随着阿维塔和赛力斯的入局,华为引望愈发显得引人瞩目。

关键字: 阿维塔 塞力斯 华为

加利福尼亚州圣克拉拉县2024年8月30日 /美通社/ -- 数字化转型技术解决方案公司Trianz今天宣布,该公司与Amazon Web Services (AWS)签订了...

关键字: AWS AN BSP 数字化

伦敦2024年8月29日 /美通社/ -- 英国汽车技术公司SODA.Auto推出其旗舰产品SODA V,这是全球首款涵盖汽车工程师从创意到认证的所有需求的工具,可用于创建软件定义汽车。 SODA V工具的开发耗时1.5...

关键字: 汽车 人工智能 智能驱动 BSP

北京2024年8月28日 /美通社/ -- 越来越多用户希望企业业务能7×24不间断运行,同时企业却面临越来越多业务中断的风险,如企业系统复杂性的增加,频繁的功能更新和发布等。如何确保业务连续性,提升韧性,成...

关键字: 亚马逊 解密 控制平面 BSP

8月30日消息,据媒体报道,腾讯和网易近期正在缩减他们对日本游戏市场的投资。

关键字: 腾讯 编码器 CPU

8月28日消息,今天上午,2024中国国际大数据产业博览会开幕式在贵阳举行,华为董事、质量流程IT总裁陶景文发表了演讲。

关键字: 华为 12nm EDA 半导体

8月28日消息,在2024中国国际大数据产业博览会上,华为常务董事、华为云CEO张平安发表演讲称,数字世界的话语权最终是由生态的繁荣决定的。

关键字: 华为 12nm 手机 卫星通信

要点: 有效应对环境变化,经营业绩稳中有升 落实提质增效举措,毛利润率延续升势 战略布局成效显著,战新业务引领增长 以科技创新为引领,提升企业核心竞争力 坚持高质量发展策略,塑强核心竞争优势...

关键字: 通信 BSP 电信运营商 数字经济

北京2024年8月27日 /美通社/ -- 8月21日,由中央广播电视总台与中国电影电视技术学会联合牵头组建的NVI技术创新联盟在BIRTV2024超高清全产业链发展研讨会上宣布正式成立。 活动现场 NVI技术创新联...

关键字: VI 传输协议 音频 BSP

北京2024年8月27日 /美通社/ -- 在8月23日举办的2024年长三角生态绿色一体化发展示范区联合招商会上,软通动力信息技术(集团)股份有限公司(以下简称"软通动力")与长三角投资(上海)有限...

关键字: BSP 信息技术
关闭
关闭