21ic新闻大爆炸：特斯拉将开放所有专利，鼓励同行研发先进电动车

1、特斯拉将开放所有专利，鼓励同行研发先进电动车

近日消息，特斯拉CEO伊隆·马斯克宣布，该公司将出人意料地采取“开源模式”，对外开放所有专利，鼓励其他企业开发先进的电动汽车。特斯拉被视作当今电动汽车市场的领头羊，在相关的电池、电子设备和软件领域均拥有很强的实力，专利总数大约为200项。马斯克表示，这些专利都会对外开放。除了汽车外，特斯拉还在建设高速充电站网络。他打算开放特斯拉超级充电站系统的设计技术，以便建立其他电动汽车制造商都能采用的技术标准，但其他电动汽车商需要接受特斯拉超级充电站的经营模式。

21ic编辑视点：“开源模式”在科技行业并不算激进，但是在汽车市场却十分罕见。特斯拉之所以会开放专利，一方面，电动汽车销售并不是很景气，电动汽车在美国汽车销量中的占比仍然不足1%。另一方面，开方专利会加速电动汽车的研发。看来特斯拉这次是下了血本了。

2、Energous无线充电技术实现4.7米范围内移动充电

无线充电技术又再度出现新突破，由Energous公司推出的新技术，有别于一般磁共振技术，其改将无线电波传送至欲充电装置，并且号称可让装置在4.7米范围内移动充电。 据报导，Energous无线充电技术可在4.7公尺范围内传输10瓦(watt)功率讯号，且该技术并具有随时追踪欲充电装置位置的功能，Energous并预计于2015年1月在美国的消费性电子展(CES)上与厂商合作推出新产品。

21ic编辑视点：无线充电常见技术为磁共振技术，像WiTricity等推出的采磁共振的Rezence无线充电技术，已获得英特尔及高通等大厂支持。但磁共振技术目前因受物理条件限制，相对阻碍其发挥无线技术的潜能。Energous无线充电技术给无线充电的发展带来了更多选择方向。最重要的是，更多竞争能让无线充电更快普及，消费者也能从中获益。

3、韩国研发可弯曲传感器 或引发显示屏革命

6月17日，据国外媒体消息，韩国电子通讯研究院日前透露，其首次研发出轻薄可弯曲可测定力量大小的触觉传感器。根据韩国电子通讯研究透露的消息，该触觉传感器是透明的，且厚度仅为为0.05毫米，比头发还细，材质类似于塑料，即使缠在类似于圆珠笔芯大小的杆上也能正常启动。其不仅是单纯开关的按钮功能，还可以通过一个传感器感知力量的大小或分布等使用者的触觉信息。接触部位没有电器电子装置，可以不受弯曲的影响，并可在水中使用。这项新技术的问世，或引发显示屏界的革命。

21ic编辑视点：可弯曲屏，可弯曲的电视、电脑、手机等等，似乎可弯曲成了下一代电子设备的一个方向。如若要实现电子产品的可弯曲性，必然对于产品里面的电子元件有着非常多的要求。新可弯曲传感器的研发，对于电子器件能否实现可弯曲性有着非常重要的意义。

4、工信部：物联网重点推进传感器及芯片技术研发

工信部近日披露了露了2014年物联网工作要点，表示要通过加强统筹规划和行业指导，突破核心关键技术，推进应用示范，培育龙头骨干企业，促进产业发展，强化安全保障，推进我国物联网有序健康发展。工作要点明确指出，2014年要突破核心关键技术，包括推进传感器及芯片技术、传输、信息处理技术研发;支持物联网标识体系及关键技术研发;开展物联网技术典型应用与验证示范;构建科学合理的标准体系。

21ic编辑视点：随着云计算、大数据、移动互联网和可穿戴设备的逐渐走向成熟，物联网的基本构成要素已经具备，物联网的轮廓也渐渐清晰。我国物联网产业在一些方面已经取得的不错的成果，但是在基础芯片以及高端传感器领域，我国的核心技术依然不足。特别是物联网基础芯片领域，我国依然没有布局。而Intel、博通、高通等国际厂商纷纷推出专门针对物联网的低功耗专用芯片产品抢占市场。要想取得物联网的先机，国家对物联网的"态度"尤为重要。

5、日美共同证实万能存储器碳纳米管“NRAM” 特性

日本中央大学理工学部电气电子信息通信工程专业的教授竹内健的研究小组与美国Nantero公司共同证实，使用碳纳米管的新型非易失性存储器“NRAM”具备出色的特性，可满足从主内存到存储设备的广泛用途。通过采用适合NRAM的写入方法，可实现存储元件的高速、低功耗、高可靠性运行。

使用直径140nm的存储元件实施验证的结果显示，在20ns的短写入脉冲下，能够以20μA以下的电流值写入数据。擦写时电阻值会发生100倍以上的变化，因此还有望实现闪存广泛使用的MLC(多值存储)工作。另外，作为可靠性指标的可擦写次数达到了1011次。这一数值相当于闪存的约1000万倍，显示出了应用于主内存的可能性。

21ic编辑视点： NRAM的“万能”存储器特性以前曾备受期待。但是，由于在写入方法方面一直没能针对LSI的实际使用条件进行优化，因此其潜力并未充分发挥出来。此次开发出了使施加于NRAM存储单元的电压分阶段增加的新的写入方法，抑制了特性不均的影响，使其能够稳定擦写。

6、中国成功制备二维黑磷场效应晶体管

近日消息，中国科学技术大学和复旦大学合作研究，在二维类石墨烯场效应晶体管研究中取得重要进展，成功制备出具有几个纳米厚度的二维黑磷场效应晶体管。他们成功制备出基于具有能隙的二维黑磷单晶的场效应晶体管。与其他二维晶体材料相比，二维黑磷单晶材料更加稳定，但其单晶在常压下不容易生长。实验表明，二维黑磷场效应晶体管在纳米电子器件应用方面具有极大的潜力。[!--empirenews.page--]

21ic编辑视点：单层原子厚度的石墨烯的发现，标志着二维晶体作为一类可能影响人类未来电子技术的材料问世。然而二维石墨烯的电子结构中不具备能隙，在电子学应用中不能实现电流的“开”和“关”，这就弱化了其取代计算机电路中半导体开关的用途。科学家们开始探索替换材料，希望克服石墨烯的缺陷。二维黑磷场效应晶体管的研发对进一步探索具有新型功能并可实际应用的二维材料具有十分重要的意义。