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[导读]1、中芯国际与美国高通公司合作推进中国28纳米晶圆制造2014年7月,国内规模最大、技术最先进的集成电路晶圆代工企业中芯国际与美国高通公司共同宣布,中芯国际将与美国高通公司的子公司(美国高通技术公司)在28纳米工

1、中芯国际与美国高通公司合作推进中国28纳米晶圆制造

2014年7月,国内规模最大、技术最先进的集成电路晶圆代工企业中芯国际与美国高通公司共同宣布,中芯国际将与美国高通公司的子公司(美国高通技术公司)在28纳米工艺制程和晶圆制造服务方面紧密合作,在中国制造高通骁龙处理器。美国高通技术公司是全球最大的无晶圆厂半导体供应商之一和全球3G、4G及下一代无线技术的领军企业,其骁龙处理器专为移动终端而设计。该合作将会提升中芯国际28纳米制程的成熟度及产能,也使其成为中国本土率先为美国高通技术公司部分最新的骁龙处理器提供28纳米多晶硅和28纳米高介电常数金属闸极工艺制程产品的半导体代工企业之一。

中芯国际与美国高通公司合作推进中国28纳米<strong>晶圆制造</strong>

21ic编辑视点:高通与中芯国际的合作,一方面暗示高通正计划为未来需求提高产能。高通是台积电的主要客户,2012年台积电28纳米生产技术慢于预期,影响了对包括高通和英伟达在内客户的芯片供应。另一方面,高通此举亦可缓和改善与中国政府的关系。中国反垄断监管机构指责高通收费过高,并滥用其市场地位,高通可能将面临逾10亿美元的罚款。最后,高通的技术援助或许能重振中国半导体业。

 

2、NI与Nokia合作进行新一代5G系统开发

美商国家仪器(NI)宣布将与诺基亚(Nokia)的网路事业合作,携手研究进阶的5G无线技术,其中包含10Gbit/s以上的峰值资料速率,和100Mbit/s以上的基地台边缘速率。Nokia研究与技术副总Lauri Oksanen表示,Nokia实验性质的5G概念验证系统,采用了NI的LabVIEW和PXI基频模组,这是目前最先进的实验系统之一,有助于快速制作5G无线介面原型。Nokia采用NI的整合式硬体和软体基频平台,希望能藉此加快研究速度,尽快证明高频率毫米波能否做为5G无线电存取技术。

NI与Nokia合作进行新一代5G系统开发

21ic编辑视点:5G技术,无线容量将比2010年高出1000倍,提供服务所需能源将节约90%,平均服务创建周期将从90小时缩小到90分钟,拥有为70亿人服务的能力。欧盟早在两年前就已经开始了5G技术的研究项目。最近,5G似乎逐渐进入人们的视野。不论华为中兴,国内外的电信供应商们都热衷于5G技术的研发。

 

3、NAND Flash进入10纳米时代

不同于系统半导体、NAND Flash已展开10纳米时代,DRAM却无法轻易突破10纳米的高墙。虽然四重曝光技术,有利DRAM的先进制程转换,但电容器制程问题是一大难题,由于采用新材料将直接影响生产单价,导致存储器业者态度并不积极。日前业界传出消息,指出DRAM制程短期内恐停滞在20纳米的可能性很高。由25纳米转进20纳米时,追加设备投资的负担不大,但10纳米代的制程建设,没有追加相当的预算无法完成。

NAND Flash进入10纳米时代

21ic编辑视点:由于三星、SK海力士等领先企业优先投资系统半导体、NAND Flash制程转换,NAND Flash已经进入10纳米时代。系统半导体与NAND Flash技术的快速进展,也影响业者的策略。 NAND Flash进入16纳米制程已近在眼前,系统半导体也受益于鳍式场效晶体管技术,让14~16纳米先进制程得以应用。

 

4、爱立信“归来”:PK高通联发科胜算几何?

在近日召开的亚洲移动通信博览会上,爱立信借中国移动展台展出了五模LTE芯片M7450。爱立信此次推出的属于modem芯片,同时支持载波聚合、VoLTE和IMS。modem市场的玩家基本就高通、海思、联发科和三星等,而三星只在本国销售的产品上使用自己的modem芯片,即便强大如英特尔在收购英飞凌后至今也未推出成熟的方案。但是爱立信的压力也不小。例如在modem领域,高通和海思也推出了五模多频modem芯片,而爱立信的芯片还不支持多载波聚合的Cat6,在性能上略低一筹。此外,爱立信此次推出的是独立的modem方案,而能够采用modem芯片和AP独立方案的通常只有高端手机,这限制了爱立信芯片的目标市场范围。

爱立信归来PK<strong>高通</strong>联发科胜算几何

21ic编辑视点:爱立信的这一举措出乎人们意料,因为2012年索尼爱立信的解体,标志着爱立信已从终端领域全身而退;而一年之前意法半导体的关闭,画外音就是爱立信的手机芯片并不成功。之后,爱立信在终端芯片领域几乎销声匿迹。此次爱立信借M7450杀了个回马枪,面对激烈的竞争,爱立信能否左右突击,杀出重围,目前来看还存在诸多变数。

 

5、物联网安全漏洞LED灯泡被入侵

英国资安研究公司ContextInformationSecurity发布声明警告所有物联网相关公司表示,由LIFX公司所生产,支持无线连网的LED灯泡存在着安全风险。这些由新创科技公司LIFX生产的LED灯泡,采用802.15.46LoWPAN网络,让灯泡可以在连接Wi-Fi后透过手机App连结进行遥控。只要监听网络封包,即可透过这些灯泡发现加密的网络设定讯息。基本上,要了解所使用的加密方式,Context公司必须将两个微控系统单元(TI及STM,均为Cortex-M3)与JTAG测试用连接埠连线,一但连结上之后,就可以读取加密演算法、金钥和无线网状网络协定。这些资料将让公司或企业可以置入网络封包,而这些动作将不会被侦测到。

物联网安全漏洞LED灯泡被入侵

21ic编辑视点:物联网对终端用户规划了诸多的美好福利,但同时也呈现出很严肃的安全与数据隐私挑战。很明显,在这股物联网浪潮中,诸多需要网络连线的设备在安全性的要求上并没有到达它们该有的优先等级。 有些安全漏洞可能存在于产品设计的根基中。虽然目前看起来有许多物联网公司都存在这样的问题,但相信随着这些问题的一一暴露,物联网的安全系数会达到我们的预期。[!--empirenews.page--]

 

6、IBM矢志于2020年实现CNT电晶体

由于国际半导体技术蓝图(ITRS)要求必须在2019年达到5nm节点,因此,IBM公司设定的目标是在2020年以前实现碳奈米管电晶体(CNT)。IBM最近制作出具有多达10,000个 CNT 的电路。根据该设计的模拟作业预测,其性能可较矽晶更快5倍。根据IBM表示,目前还必须克服几项障碍,才能符合2020年的最后期限,其中最重要的是分离金属奈米管中的半导体,但这个问题从二十多年前起就一直无法解决。IBM致力于达到2020年最后期限的目标,但也坦承必须克服所有的主要障碍,才能使计划持续至2020年以后。届时,其他如自旋电子学等目前还不够成熟的技术,也可望超越碳奈米管的研究。

IBM矢志于2020年实现CNT电晶体

21ic编辑视点:时至今日,最小的矽电晶体已经达到原子极限了。为了进展到下一个矽晶世代,除了各种缺陷和掺杂不均的问题以外,业界还面临着矽电晶体尺寸进一步缩小的挑战。如果IBM或其他厂商能够实现最佳化的1.4nm电晶体通道,那么摩尔定律就能再持续向前进展;否则的话,业界就得再发展出一种全新的模式。

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