新闻大爆炸：全球前十大半导体厂营收排行榜

1、HS：全球前十大半导体厂营收排行榜

研调机构IHS最新报告显示，除去晶圆代工产业，今年半导体产业在晶片扩展到不同应用领域，带动产业营收上看3532亿美元(约 11.2兆台币)，年增9.4%，是2010年以来表现最好的1年，其中联发科(2454)排名首度挤入前10大，排名第10，较去年的15名大幅提升。

HS公布的今年营收前10大的半导体厂依序为英特尔、三星、高通、美光、SK海力士、德仪、东芝、博通、意法及联发科，联发科也是国内唯一打入前10大的厂商。

依据IHS资料显示，今年联发科和Avago都透过合并相关厂商，营收年增57.49%、107.9%，带动排名向上;联发科在合并F-晨星后，整体营运规模明显攀升，今年营收将首度超越2000亿元大关。

小编点评：今年半导体行业表现整体来说还算不错，从榜单来看，高通挺近前三甲，联发科可谓是大跃进表现非常抢眼。不过市场对于联发科明年4G的表现仍有疑虑。前有高通与华为联合提升技术实力，后有展讯等厂商价格厮杀，联发科可能腹背受敌。

2、ZigBee 3.0顺应技术发展?或因应Thread而备战?

2014年11月ZigBee联盟宣布将在2015年正式发表ZigBee 3.0标准，ZigBee 3.0并非是突破性的技术规格，仅是过往标准的重新统整，ZigBee联盟声称统整是顺意电子技术自然发展，然DIGITIMES Research研判，新标准依然带有产业竞争意味，特别是与新兴标准Thread间的竞争。

ZigBee 3.0将过往以ZigBee PRO网路层协定为基础的多种应用融合为一，一次融合6种应用，包含家庭自动化、建筑物自动化、LED照明、医疗看护、零售、智慧能源等。

ZigBee 3.0的推出，主要在改变ZigBee PRO标准的后续走向，短期内与ZigBee PRO相关的应用标准仍会持续增订、修订，但将逐渐以ZigBee 3.0为主。不过ZigBee 3.0将不影响ZigBee PRO之外的其他ZigBee标准，如ZigBee RF4CE(Radio Frequency forConsumer Electronics)、ZigBee IP(Internet Protocol)等均会维持原有发展步调。

小编点评：ZigBee 3.0可视为统整版的ZigBee PRO。它的推出意味着ZigBee联盟对会员采取讨好、怀柔态度，避免会员转向Thread阵营，也避免转向其他同样以IEEE 802.15.4为基础的技术阵营。

3、美研发原子厚度新材料 或助研发超薄器件

近日消息，美国莱斯大学研发的一个原子级薄的材料，这或可能导致研发目前最薄的成像平台。基于金属硫族化合物的合成二维材料可能是超薄设备的基础，莱斯大学研究人员这样表示。其中一个这样的材料二硫化钼，因其检测光的特性而被广泛研究，但是铜铟硒化物(CIS)也表现出同样非凡的潜力。这一铜铟硒化物单层厚度大约为2纳米，包含9个原子厚的晶格。

传统的电荷耦合器件厚重且坚硬，将它们与二维元素相结合是没有意义的。而基于铜铟硒化物的电荷耦合器件非常薄、透明和灵活，这正是二维成像器件所缺失的。感知光的二维材料有很多，但没有一种能够如此高效。这种新材料比目前最好的材料高效10倍。

另外，这种材料是透明的，基于铜铟硒化物的扫描仪可以从一面利用光照亮图片，而另一边用于捕捉图片。在医疗方面的应用，铜铟硒化物可以用于小型生物成像器件，通过与其它二维电子元件相结合，从而进行实时监测。

小编点评：现在许多数码相机使用的图像传感器为CCD(电耦合元件)。这个和指甲盖差不多大小的硅晶片里包含了数以百万的光敏二极管，用它来捕捉相片的像素。新材料制造的CCD元件将更薄、更透明且更具有柔韧性，这样我们的数码相机就能做的更小了。

4、手机4GB内存真要普及了!

三星电子宣布，已经成功量产了全球第一个8Gb(1GB)容量的新一代LPDDR4移动内存颗粒，并采用了该公司领先的20nm工艺。LPDDR内存标准今年8月底才刚刚敲定，而早在去年底，三星就迫不及待地宣布了全球第一颗LPDDR4内存颗粒，容量就是8Gb(1GB)，不过当时说的工艺还只是2xnm(三星通常称之为20nm级别)，这次是真正的20nm了。

三星这种新型颗粒的频率也达到了3200MHz，相比于2xnm 4Gb LPDDR3不仅容量翻了一番，性能也提高了一倍，甚至是典型DDR3桌面内存的整整两倍。同时由于电压降至1.1V，它还更省电。同样是2GB容量的芯片，8Gb LPDDR4封装而来的就要比4Gb LPDDR3封装而来的节能最多40%(当然其中也有封装颗粒少一半的缘故)。

能做到如此高性能低功耗，低电压摆幅中断逻辑(LVSTL) I/O界面的贡献不容忽视。这是三星提交并被纳入LPDDR4标准规范的一项技术，三星已经开始出货分别基于8Gb、4Gb颗粒的2GB、3GB LPDDR4内存芯片，4GB LPDDR4则会在2015年初交付。

编辑点评：这样的颗粒只需要4颗，就能组成4GB内存芯片，用于智能手机，而随着64位ARM架构、安卓5.0的相继投入使用，4GB内存也将逐渐成为安卓旗舰机的标配。‍

5、小米在印度获高通庇护暂解禁

12月22日，爱立信再次就与小米之间的专利问题向媒体发出声明。在这份媒体声明中，爱立信指出，首先选择印度市场提起诉讼，是公司的诉讼战略，而“小米在哪里侵犯爱立信专利，我们将保留日后在哪里起诉的权利”。

早些时候，爱立信在印度对小米提起专利诉讼后，小米手机在印度一度停止销售，并关停官网网页。经过短暂斡旋，12月17日印度德里法院授予小米手机 “临时许可”，被允许销售使用高通处理器的红米1S，而本月初刚刚在印度上市的红米Note仍不得销售，后者搭载的是与爱立信有专利纠纷的处理器。

编辑点评：国产手机雄心勃勃的出海战略遭遇专利堵截，根本原因在于，其在世界手机专利池中缺少核心专利，在反专利堵截时面临一个无法回避的问题：“傍”住高通还是摆脱高通?这在高通反垄断案将出结果的背景下更趋纠结。此外，高速行进中的互联网手机企业，也该坐下来反思下自己的手机属性，毕竟互联网手机的本质还是手机，互联网只是“定语”。

6、研究人员以碳纳米管实现真正的3D芯片

美国史丹佛大学(Stanford University)的研究人员们在日前举办的2014年国际电子元件会议(IEDM)上展示了真正的 3D 晶片。大部分的 3D 晶片采用硅穿孔(TSV)的方式推叠不同的制造晶片。史丹佛大学所展示的是任何晶圆厂都能在标准的互补式金属氧化物半导体(CMOS)上堆叠任何层数的逻辑与记忆体。在IEDM上，史丹佛大学在 CMOS 晶片上堆叠了2层的金属氧化物电阻型随机存取记忆体(PRAM)，以及1层利用碳纳米管(CNT)作为电晶体通道的逻辑电路。史丹佛大学展示的3D晶片以标准过孔方式连接4层电路，最底层是标准CMOS，最上层是碳纳米管逻辑电晶体，中间夹着2层RRAM。

“对于使用传统的跨层过孔而言， TSV 技术至关重要，但关键在于如果你想达到无法以 TSV 实现的极高能源密度效率之时，”史丹佛大学电子工程系教授Subhasish Mitra表示，“然而，我们能够利用传统过孔分别在各层之上顺利地打造这些电路层，显示我们的方法是可行的。”

“我们可以利用这种技术制造出任意层数，”史丹佛大学教授H.S. Philip Wong说：“我们使用相当宽松的设计规则在学校的晶圆厂中制造这些电路层，但在其他的展示中则已证明我们的制程能一直微缩到现有采用过孔技术的20nm商用级。”

编辑点评：对于芯片来说，除了向二维方向缩减制程尺寸之外，业界也在积极考虑向三维TSV芯片堆叠方向发展的方案。多年以来，芯片制造商一直在谈论基于TSV的3D芯片堆叠技术，不过除了在CMOS图像传感器领域有推出过采用类似技术的产品之外，这项技术还远远没有进入主流范畴，不过相信通过这些积极的技术研究，3D芯片堆叠技术的进步会加快脚步。