三星半导体又出事了，工人的利益谁来保障

2018年9月4日，三星电子公司的一家芯片工厂发生二氧化碳泄露事故。截至2018年9月4日，故事该导致一名工人死亡，两名工人受伤。

三星在一份声明中称，这三人在其水原市半导体工厂的地下室里被发现失去意识。一名24岁的男性工人在被送往医院几个小时后宣布死亡，另外两名年龄为26岁、54岁的工人依然处于无意识状态。这些员工均来自三星旗下一家供应商。

毒气泄漏事件三星已经不止一次了，2012年2月，韩国时报就曾报道称，韩国职业安全的调查研究院一份历时三年的调查显示，三星、海力士半导体公司以及仙童半导体公司的工厂生产线被检测出含有一定数量的苯、砷、甲醛等致癌物质。当时，该研究院的负责人朴正善表示， “尽管它们的含量还不足以致癌，但已经足够令人担忧，这些工厂必须尽最大努力将这些含量降到最低”。

2013年1月，同在水原的三星芯片工厂发生氢氟酸泄漏事故，10升强烈腐蚀性的氢氟酸挥发在空气中，造成五名工人1死4伤。事件发生后，三星公司被罚款1000美元。

在2014年3月在京畿道水原市的三星电子研发中心一名52岁的三星合同工在工作时也是因为二氧化碳气体泄露死亡，当时的调查结果是，灭火系统的故障导致了气体泄露。

一座半导体厂所可能使用的气体约为30种上下，其气体的规格会随制程要求而有不同;但通常可分为用量较大的一般气体(Bulk Gas)，及用量较小的特殊气体(Special Gsa)二大类。在一般气体方面，包括有N2, O2, Ar, H2等。另在特殊气体上，可略分为下述三大类：

(1)  惰性气体(Inert Gas)的He, SF6,CO2, CF4, C2F6, C4H8及CH3F等;

(2) 燃烧性气体(Flammable Gas)的SiH4,Si2H6, B2H6, PH3, SiH2Cl2, CH3, C2H2及CO等。

(3) 腐蚀性气体(Corrosive Gas)的Cl2,HCl, F2, HBr, WF6, NH3, BF2, BCl3, SiF4, AsH3, ClF3, N2O, SiCl4等。

实际上，有些气体是兼具燃烧及腐蚀性的。其中除惰性气体外，剩下的均归类为毒性气体。SiH4,B2H6,PH3等均属自燃性气体(Pyrophoricity)，即在很低的浓度下，一接触大气后，立刻会产生燃烧的现象。而这些仅是一般晶圆厂的气源而已，若是实验型的气源种类，则将更为多样性。

半导体大厂在保证产值的同时，怎样处理污染物，如何保障工人的安全也是考量一个企业的文化所在。