2018 ISSCC芯片奥运会亮点早知道

IEEE ISSCC始于1953年，每年一届，是由IEEE固态电路协会(SSCS)主办的旗舰半导体集成电路国际学术峰会，也是世界上规模最大、最权威、水平最高的固态电路国际会议，被称为集成电路行业的芯片奥林匹克大会。由于 ISSCC 峰会在国际学术、产业界受到极大关注，ISSCC 执行委员会每年都组织在国际范围的发布和介绍活动。今年是ISSCC第12次到中国进行这一国际著名峰会的正式发布会。

峰会录用和发布了全球顶尖大学及企业最新和具研发趋势最领先指标的芯片成果，历届都有遍及世界各地的数千名学术、产业界人士参加。各个时期国际上最尖端的固态集成电路技术通常首先在该峰会上发表。

根据ISSCC统计，在历年来来自各国学者的投稿中显示，投稿文章多数来自于大学、研究所或相关半导体企业。按照地域划分，近年来欧洲地区投稿逐渐下降，而亚洲地区投稿有所增加。伴随着近年来，我国不断鼓励集成电路的发展，来自我国的投稿比例也在逐渐上升。在2018年投向ISSCC的稿件中，不止是我国香港、澳门、台湾地区有投稿外，大陆也有文章入选其中。2018 ISSCC中我国各地区共计投稿数量达14篇，其中5篇得以入选。

(各地域投稿所占比例)

(稿件来源所占比例)

(2018 ISSCC我国有5篇文章入选)

伴随着近些年来物联网的发展，带动了集成电路的发展。使得智能传感器、可穿戴、通信网络领域对于芯片的需求量增加，而对于信息的获取、传输、存储、处理、应用及执行则对芯片的功能提出了更多的要求。

据21IC小编了解，在2018年ISSCC上将展示国际集成电路在模拟电路、电源管理、数据转换器、数字电路及系统、存储器、 图像, MEMS, 医疗和显示 、有线通讯、射频和无线通讯和前瞻技术领域各热点方向的最新技术、产业进展及其设计最新发展趋势。

就存储器市场而言，存储器应用广泛、市场庞大，是国家的战略性高技术产业。目前存储器技术发展正面临多元化的新机遇。存储器分为易失性和非易失性两大类。当今，易失性存储器最重要的两类是SRAM和DRAM。非易失性存储器的种类很多，市场份额最大的是闪存(FLASH)，其他的还有SONOS、铁电存储器(FRAM)、相变存储器(PRAM)、磁存储器(MRAM)和阻变存储器(RRAM)等。此外，SRAM、DRAM、FLASH、SONOS和FRAM这五种是基于电荷的存储器，这类存储器本质上是通过电容的充放电来实现的。另外，新兴的PRAM、MRAM和RRAM则是基于电阻的转变来实现的，也是众多企业和学者关注的方向。

现场，除了主办方对于2018 ISSCC前瞻介绍外，还介绍了即将参与评选的文章中的亮点，以及经典文章的引用。在这其中我们也看到了来自世界各地的学者的目光都聚焦在行业中哪些技术上。

本次只是ISSCC对于2018年即将举行的峰会进行的一次小小的剧透，如果您有兴趣，就快来参加2018年2月11日-2月15日在美国加州三藩市举行的第65届 ISSCC 峰会(ISSCC 2018)吧。