CEATEC 2011视点之罗姆：打造“超节能半导体”

10月4日至10月8日，CEATEC JAPAN 2011（日本高新技术博览会）在日本幕张国际展览中心举行。CEATEC JAPAN是展示世界最尖端技术、产品、服务的IT、电子综合展。不仅可以看到日本主要的电子公司的最新技术、产品、系统以及软件等的展示，还能看到电子元件、设备、服务以及内容等的展示，能及时地体验到世界最尖端的技术。

此次展会，罗姆以“Power&Smart—新一代元器件创造未来”为主题，展现了SiC功率器件的最新产品阵容、LED和有机EL照明的新商品、实现个人医疗保健的传感技术等最新信息。

罗姆展台

罗姆展出了采用沟道构造的SiC制肖特基势垒二极管（SBD）和MOSFET。沟道型SBD与普通SiC制SBD相比，二极管导通电压较低。沟道型SBD的导通电压为0.5V，降到了以往1.2V的一半以下，低于Si制FRD（Fast Recovery Diode，快恢复二极管）的0.6V。沟道型SiC制MOSFET的特点是耐压600V下导通电阻只有1mΩcm2

 
SiC制SBD和MOSFET[!--empirenews.page--]

利用SiC功率元件的无线供电系统也是罗姆展品的一大亮点，系统采用电场耦合方式，发送端的逆变器电路利用了SiC沟道型MOSFET。通过利用SiC沟道型MOSFET，在6.78MHz的高开关频率下，逆变器转换效率高达95％。在现场，罗姆利用无线供电点亮了墙壁上粘贴的有机EL照明和桌上的台灯，还为桌上的智能手机内置的充电电池进行了充电。
 
SiC无线供电
“世界最小”的03015尺寸芯片电阻器吸引了众多观众的围观，此次的03015尺寸（0.3mm×0.15mm）芯片电阻器与0402尺寸产品相比，将芯片面积削减了44％。另外，通过将03015产品的芯片高度由0402产品的0.13mm降至0.1mm，芯片体积约削减了60％。高功能化和小型化同时推进的智能手机等便携产品需要这种超小型部件。03015产品将芯片尺寸精度由原0402产品的±20μm提高至±5μm。由于这种电阻器看起来像沙粒，因此在此次CEATEC上，罗姆展示了使用50万个芯片电阻器的“沙漏”。
 
电阻器的“沙漏”
罗姆还展示了0.47英寸的有机EL面板，该面板主要用于数码相机的电子取景器（EVF）和头戴式显示器（HMD）。该产品为800×600（SVGA）像素。子像素尺寸为12μm×4μm。色彩表现范围按NTSC规格比为72%，对比度为3万比1。全屏白显示时的耗电量约为175mW。
使用40个有机EL显示器的“光之艺术”在会场显得格外绚丽。
 
“光之艺术”
据罗姆中国营业本部副本部长村井美裕先生介绍，中国一直是罗姆的重要市场，通过四大战略（功率器件战略、LED战略、传感器战略、相乘战略），面向不同的市场，配备完备的销售和技术支持体系，加大投资力度，在营业目标上继续提高中国市场份额。