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11月4日,台积电正式做出回应,宣布3nm技术一切正常,彻底打破谣言。听到这一消息,最为高兴的当属苹果。因为按照计划,苹果明年发布的A系列处理器以及M系列新处理器,都会使用台积电3nm工艺。
台积电宣布3nm技术顺利推进,意味着苹果自研芯片将获得更出色的代工技术加持,苹果终端设备在市场上的竞争优势将会进一步扩大。
而换位思考,台积电的竞争对手三星,在得知台积电辟谣后,情绪应该十分失落。毕竟,三星和台积电是目前全球范围内唯二宣布成功攻克3nm工艺的晶圆代工厂。
若是台积电3nm技术遇到问题,三星必然会获得众多巨头客户青睐。无论是营收还是行业地位,三星都有希望获得大幅提升。甚至可能以此为转折点,对台积电实现逆袭。
“芯片荒”席卷全球的同时,世界各国也意识到了掌握芯片制造技术的重要性。
在这样的背景下,台积电、三星作为全球排名第一、第二的芯片代工巨头,被业内外广泛关注着。
为了缓解当下的芯片供应短缺问题,台积电、三星等芯片巨头都透露了扩产的意向,为此有不少国家拉拢这两大巨头奔赴自己国家建厂。
而作为半导体产业强国的美国也不例外,但美方不仅“威逼利诱”台积电赴美建厂,还要求台积电们在45天内交出核心经营数据。
台积电三星向美方“低头”
根据台湾“中时新闻网”报道,在今年9月末美国商务部召开半导体高峰会, 并在会上强硬要求台积电、三星等晶圆代工厂相关经营数据,如库存量、订单、销售记录等,美其名曰“提高芯片供应链透明度”。
美方此举让业内外大为震惊,要知道,对于晶圆代工厂来说,库存量、销售记录等属于商业机密。
台积电、三星等晶圆代工厂交出数据,也意味着将自己的半导体技术水准公之于众,这必然会影响企业的议价能力和竞争力。
因此,针对“提交数据”这一事,台积电、三星最开始都纷纷表明态度,不会交出向美方交出数据。
但随着期限将至,台积电撑不住了,在11月7日确认已经按照要求上交了数据。
11月12日电,韩媒称,三星电子接近决定在美国所设芯片厂的选址。报道指出,三星李在镕最快将于下周访美,以最终确定该项目。
此外据韩媒报道,三星副董事长李在镕最早将于下周前往美国,以敲定最终价值 170 亿美元的芯片制造工厂的厂址。
三星电子和SK海力士向美国提交有关其芯片业务的信息,但隐瞒了一些被视为商业机密的关键数据。
消息称,三星将在德克萨斯州、亚利桑那州和纽约州三地之中选建新芯片制造工厂。自今年 3 月以来,相关审议工作一直在缓慢地推进。
当时恰逢奥斯汀工厂遭遇停电危机,于是三星向当局呈递了一份新提案,要求为新工厂建设提供税收优惠。但也正是在这份文件中,三星概述了要将纽约州和亚利桑那州纳入备选。
如果顺利建成,新工厂有望用上先进的 3nm 半导体制造工艺。目前处于 5nm 领先地位的台积电,亦计划明年开始量产下一代 3nm 工艺。
不过三星和台积电并不是一条道上的选手,因为两家公司选择了不同的晶体管设计方案。台积电坚持传统 FinFET,而三星计划采用 2018 年与 IBM 联合开发的 GAAFET 。
韩联社指出,李在镕预计最早下周访问美国,但目前三星方面尚未确认该高管的行程。在因受贿罪入狱七个月后,其目前正处于假释阶段。
美国商务部此前以提高芯片供应链透明度为由,要求三星电子、SK海力士等全球半导体企业在11月8日之前提供供应链相关信息。有消息称,韩企将在不违反合同保密条款的前提下在最小范围内向美方提供有关信息。
据财联社消息,韩媒称,三星电子接近决定在美国所设芯片厂的选址。报道指出,三星李在镕最快将于下周访美,以最终确定该项目。
为了缓解当下的芯片供应短缺问题,台积电、三星等芯片巨头都透露了扩产的意向,为此有不少国家拉拢这两大巨头奔赴自己国家建厂。
三星电子获利刷新3年纪录 零件短缺或影响部分芯片需求
据路透社网站报道,韩国三星电子预计零部件短缺将影响本季度一些客户的芯片需求。之前三星公布季度获利创3年来最高。
韩国三星电子在一份声明中说,“由于对使用内存芯片的设备生产可能造成冲击,需要监测零部件供应问题持续时间长于预期的情况,”不过三星补充称,“科技公司增加投资,使得对服务器(伺服器)的基本需求强劲。”
报道称,三星7至9月当季营业利润跳增28%至15.8万亿韩元(134.8亿美元),得益于芯片业务获利同比激增82%,达到10.1万亿韩元(86.2亿美元)。三星是全球最大的内存芯片制造商。
内存芯片价格和出货量的上升,加上三星芯片代工业务的盈利能力跃升,推升了芯片部门的营业利润,而三星新款可折叠智能手机的销售则因营销和零件成本而受到影响。
该公司表示,尽管供应链问题可能会限制一些移动芯片客户在第4季度的需求,但预计2022年服务器和个人电脑芯片的需求将很强劲,不过仍存在不确定性。
近些年,台积电在芯片制造业风生水起,7nm、5nm接了业内众多巨头的订单,财报方面也是收获颇丰。
而近日,三星首次展示了3nm的制造工艺,并且将其公布于世,这是一颗256Mb(32MB)容量的SRAM存储芯片,而三星方面也分享了半导体产业的路线图,10nm后紧接着就是7nm和3nm,其余全是升级改善型的工艺,比如人们所熟知的5nm。
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