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宽带隙半导体材料氮化镓 (GaN) 具有出色的电气和光学特性,可用于各种电子和光电设备。然而,与其他半导体相比,其固有热导率明显较低。硅掺杂可以显著影响块状氮化镓 (GaN) 的热导率。
石墨烯是一种以蜂窝状晶格排列的单层碳原子,在自旋电子学中具有重要应用。石墨烯具有较长的自旋寿命(指电子保持自旋状态的时间)和较高的电子迁移率(使电子能够快速移动)。这些因素对于自旋电子学至关重要,自旋电子学是一门探索利用电子自旋进行信息处理的领域。
运算放大器 (Op-Amp) 是工业和消费电子产品中的基本元件,其用途广泛,从简单的任务(如基本放大和缓冲)到复杂的功能(如模拟数字转换、音频处理和传感器信号放大)。尽管运算放大器无处不在,但其一直存在一个问题,即热漂移 — 即放大器的输入失调电压随时间和温度波动而变化的现象。
石墨烯在导电机制(电子和空穴)方面与半导体的行为相似,但不同之处在于它在绝对零度时不是绝缘体。在本教程中,我们将了解量子统计力学可以告诉我们什么。
我们通过费米理想气体模型解释了半导体的行为,考虑了两个不同的物理系统:电子和空穴。我们认为,这有点牵强,在本教程中,我们引入了具有可变粒子数的理想费米气体的概念。
在许多研究 pn 结中电流随温度变化的实验室实验中,反向饱和电流被假定为常数。这是一个近似值,因为这个量很大程度上取决于温度。在更现实的情况下,我们建议在 Mathematica 计算环境中进行虚拟/计算实验。
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瞬态电压抑制二极管(Transient voltage suppression diode)也称为TVS二极管,是一种保护用的电子零件,可以保护电器设备不受导线引入的电压尖峰破坏
单向TVS的正向特性与普通稳压二极管相同,反向击穿拐点近似“直角”为硬击穿,为典型的PN结雪崩器件。
传统上,硅功率器件(如IGBT或MOSFET)被焊接到金属陶瓷基板上,使用铝线键合作为互连技术,并使用焊膏或导热硅脂将功率模块连接到底板或冷却器。这种结构如图1(左)所示。
2月23日,以“龙行龘龘,共赴星海”为主题的2024年东风柳汽合作伙伴大会在广西柳州召开。大会对2023年的优秀合作伙伴进行了表彰。