单向TVS的正向特性与普通稳压二极管相同,反向击穿拐点近似“直角”为硬击穿,为典型的PN结雪崩器件。
传统上,硅功率器件(如IGBT或MOSFET)被焊接到金属陶瓷基板上,使用铝线键合作为互连技术,并使用焊膏或导热硅脂将功率模块连接到底板或冷却器。这种结构如图1(左)所示。
2月23日,以“龙行龘龘,共赴星海”为主题的2024年东风柳汽合作伙伴大会在广西柳州召开。大会对2023年的优秀合作伙伴进行了表彰。
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