5nm光刻技术突破ASML垄断?中科院研发者回应,真相是这样的!
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据《财经》报道称,该论文的通讯作者、中科院研究员、博士生导师刘前公开回应称,这是一个误读,这一技术与极紫外光刻技术是两回事。
按照刘前的说法,如果超高精度激光光刻加工技术能够用于高精度掩模版的制造,则有望提高我国掩模版的制造水平,对现有光刻机的芯片的线宽缩小也是十分有益的。这一技术在知识产权上是完全自主的,成本可能比现在的还低,具有产业化的前景。
但是,即便这一技术实现商用化,要突破荷兰ASML(阿斯麦)在光刻机上的垄断,还有很多核心技术需要突破,例如镜头的数值孔径、光源的波长等。
据悉,高端掩模版在国内还是一项“卡脖子”技术。在半导体领域,除了英特尔、三星、台积电三家能自主制造外,高端掩模版主要被美国的Photronics、大日本印刷株式会社(DNP)以及日本凸版印刷株式会社(Toppan)三家公司垄断,根据第三方市场研究机构前瞻产业研究院的数据,这三家公司的市场份额占到全球的82%。
一直以来,业界都在尝试另一条技术路线,例如华裔科学家、普林斯顿大学周郁在1995年首先提出纳米压印技术,目前仍无法突破商用化的困境。目前的现状是,没有一个国家能够独立自主完成光刻机的制造,中国以一国之力,短期内要突破ASML在极紫外光刻技术上的垄断,几乎是不可能的事情。
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