PI新款氮化镓快充参考设计:进一步缩小快充体积

时间：2021-10-14 17:20:50

关键字：快充氮化镓

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[导读]快充设计范例：DER-928PI于近期推出了一款USBPD快充设计范例报告（DER-928），这款设计范例使用了两颗PowiGaN芯片实现了30.3W/in³的功率密度。设计范例用使用了高效率ACF拓扑，使用新款InnoSwitch4-CZ零电压开关和ClampZero芯片芯片组...

快充设计范例：DER-928

PI于近期推出了一款USB PD快充设计范例报告（DER-928），这款设计范例使用了两颗PowiGaN芯片实现了30.3W/in³的功率密度。设计范例用使用了高效率ACF拓扑，使用新款InnoSwitch4-CZ零电压开关和ClampZero芯片芯片组合实现了高功率密度的开关电源设计。并使用MinE-CAP芯片自动切换不同耐压的初级电容。双管齐下，将氮化镓快充体积进一步缩小。

PI推出的DER-928参考范例报告通过使用两颗氮化镓芯片，显著缩小了充电器的体积。60W的设计只有45*45*16mm大小，充分体现了氮化镓在减小充电器体积，提高功率密度的优势。

DER-928是一款60W宽电压输入的USB PD快充设计范例报告，输入支持90-265Vac宽电压，支持5V/3A；9V/3A；15V/3A；20V/3A四档输出电压。

DER-928设计范例使用了PI新款主动钳位反激芯片InnoSwitch4-CZ和ClampZero组成高性能的主动有源钳位开关电源拓扑，在DCM和CCM运行模式下都能实现主开关管的零电压开通。该设计范例具有小于60mW的空载输入功耗，满足DOE6和CoC V5 2016能效要求。内置输出过压和过流保护，内置过热保护功能。

InnoSwitch4-CZ

InnoSwitch4-CZ是PI新一代采用了PowiGaN氮化镓技术的集成电源芯片，该芯片通过外置的ClampZero组成有源钳位反激架构，可将漏感能量回收并传送至次级。相比传统反激漏感能量全部由发热耗散，有源钳位反激可将漏感能量再利用，同时减小开关管开关损耗，提高转换效率，在不同的负载条件和输入输出电压下都能保持极高的效率。提高开关频率至140KHz，从而显著减小充电器的体积。

MinE-CAP

MinE-CAP芯片可根据输入的交流电压，采用低压大容量电容与高压小容量电容的组合。其内置了PowiGaN开关管，利用氮化镓低导阻的特性，根据输入电压自动并联或断开低压电容，而无需使用一颗大容量的高压电解电容滤波。通过使用MinE-CAP，减小了充电器内部电容体积，实现同等的滤波效果，满足低电压下满载输出。

PI推出的MinE-CAP电容切换器件可与InnoSwitch系列开关器件搭配使用，外围元件非常精简。通过共同使用这些器件，进行开创式的设计。有关详细信息，请访问网站www.power.com。