如图所示为300kHz信号发生器。它由VT1、T1、VD4及相关元件组成压控振荡器。压控振荡器采用LC集电极调谐式,VTl为振荡管,由变容二极管VD4、电容C3~C6和变量器T1的1~3绕组的电感组成调谐回路,变容二极管VD4反偏工作
如图所示为HCMOS集成电路组成的48MHz晶体振荡器。晶体的基波频率为l6MHz,但振荡器强制工作于三次谐波。谐波振荡器的关键是抑制晶体的基频,图中的并联谐振电路在晶体的基频下谐振,它和晶体SJT串联后,对基频的阻抗
如图所示为60MHz晶体振荡器,主要是由晶体振荡电路和缓冲放大电路等组成。晶体三极管VT1为60MHz的晶体振荡器,振荡器的输出送至晶体三极管VT2的缓冲放大器进行信号放大,它的发射极有较大的反馈,使振荡器更稳定。电
如图所示为70MHz晶体振荡电路。它由晶体振荡器、缓冲放大器、选频放大器等组成。它的主要功能是把晶体振荡器输出的弱信号,通过放大电路,再经选频放大后,输出70MHz的基频频率信号。 元器件选择: 三极管VTl:3DG5F
如图所示为考毕兹振荡器电路。它带一个基频率晶体,其频率为1499kHz,晶体SJT并接在电容C2、C3两端。射极分压电阻R2、R3提供基本的反馈信号,反馈受电容分压器C2、C3的控制。晶体SJT起振工作后输入给三极管VT基极l49
如图为70MHz并联型晶体振荡电路。振荡器主要是由三极管VTl、晶体SJT及电容Cl、C5等元件组成。 元器件选择: 电容Cl为20p,C2为100p,C3、C7为820p,C4为56p,C5、C8为47p,C6为47μF/50V。电 感Ll为22μH(色码电感)
如图所示的高频振荡器,可作为高频信专发生器,选择不同的电容值能够在56~484kHz范围内产生一个高频正弦波。该电路具有剃出波形好、频率稳定度高,输出阻抗低等特点。 元器件选择: 三极管VTl、VT2:3DG6D,65≤β《
利用稳压管的齐纳击穿特性,可以得到频率达数百兆赫的高频信号,其电路如图所示。从输出端V01取出的信号是单一频率信号,可以用来调准调谐回路中的谐振频率。从输出V02取出的信号是广谱高频信号,可以进行超外差式收
如图所示为高频产生点灯器电路。它是以8V~14V的蓄电池作为能源,经振荡升压后再点亮6W~12W的荧光灯。晶体三极管VT可采用3DD12A、D3D4D、3DD5C、3DDl5A等低频大功率三极管,组装时应为其安装70mm×40mm×2mm的铝板制
此电路是用于具有455kHz中频的80米波段接收机中的LC振荡电路. function resizeImage(evt,obj){ newX=evt.x; newY=evt.y; obj.width=newX; obj.height=newY; }
谐波发生器是微分式的,它由一个左右对称的微分放大电路将相位相差半个周期的矩形脉冲,通过输出变压器推挽耦合,该谐波发生电路简单,调测方便,成本低,又保留了其对称脉冲的特点,其性能可以与磁饱和式相近。如图
本电路SJT为1024kHz温补型晶体振荡器。电路原理如图所示。电路由于其输出信号电平低,故后续三极管VTl作缓冲放大。VTl的基极偏置电阻R2、负载电阻R3、射极电阻R4为负反馈电阻,用以稳定VTl的直流工作点。稳压二极管V
如图所示的12kHz信号发生器由晶体振荡器和告警电路两部分组成。振荡器输出幅度稳定,变化<±0.26dB。 元器件选择: 三极管VTl、VT3:9014,65≤β≤115;VT2、VT4:3DGl308,60≤β≤85。热敏电阻RT:RRWl-2型。石
如图所示电路由l2kHz中频振荡器,告警电路组成。它采用变量器反馈式振荡电路,其振荡频率主要由石英晶体决定。Cl、C2可以作微调频率。振荡管采用复合管以提高输入阻抗,幅度的稳定由VDl、VD2双向稳压得到。 技术指标
如图所示的12kHz中频振荡器由12kHz石英振荡器、输出电平调整、电平提升电路以及告警电路所组成。它采用新颖单管调谐变量器反馈式振荡电路,在反馈回路中,串接了12kHz石英晶体谐振器,从而使振荡频率取决于l2kHz石英