如图所示,该电路利用齐纳稳压二极管D1限制浪涌电压,利用4只二极管组成整流桥路以防止反向电压。齐纳二极管D1为36V,可选1N4753A或P6KE39A。当环路电压低于30V时,为增加保护,可选更低电压的D1管。 function resi
如图所示为具有二极管冷端补偿的低失调、低漂移热电偶测量环电路。由OPA277构成同相放大器,利用同相放大器的高输入阻抗特性来降低热电偶失调和环路漂移。50Ω电位器用于校准,可调节放大器同相输入端偏置,使K型热电
如图所示,二极管IN4148串联在V+和环路中,可防止线路因反接而损坏器件,在环路中仅损耗0.7V(硅二极管的正向压降)的电源供电电压。图中Lin Polarity为正桥非线性校正连接。 function resizeImage(evt,obj){ newX=e
XTR108是用于温度和电桥式传感器的“灵巧”可编程的4~20mA两线电流变送器。在模拟信号通道内,通过一个标准串行接口对零点、步长和线性化误差进行校正,无需人工微调,外部非挥发性E2PROM存储校正设置。全模拟信号通
如图所示,长导线电流环传输会引入射频(RF)干扰,RF能量会造成敏感的XTR108输入端出现误差,表现在环路电流或输入线电流的不稳定。如果RTD传感器在远距离,则在XTR108输入端将引入干扰。如果变送器与传感器采用短线连
如图所示为XTR108三线RTD连接电路。连接RTD传感器引线电阻可能引入误差。采用图中的“1”与“2”接法,假设“1”与“2”到XTR108的引线长度一样,则引线电阻一样,引入的干扰大小和方向也一样。这种干扰属于共模电压
如图所示是XTR108四线RTD连接电路。四线RTD在实际应用时的引线电阻通常不会相等,因此增加一个精密运算放大器OPA277以降低电压失调和漂移。应注意,该电路对RTD引线电阻十分敏感。
如图所示,该电路采用电压源VREF驱动激励传感器电桥。这是一种很好的激励方式,激励电压VEX=VREF(1+R1/R2),其中VEX为电桥两端激励电压。 function resizeImage(evt,obj){ newX=evt.x; newY=evt.y; obj.wid
如图所示,该电路利用齐纳二极管D1实现过压保护,利用二极管整流电桥实现反向电压保护。二极管会引起1.4V环路电压损失VPS的最大值必须低于齐纳二极管的最小击穿电压。 function resizeImage(evt,obj){ newX=evt.x;
如图所示为XTR108电压激励电桥电路。电路中对电桥的激励电压是经过线性化调整的,其线性化响应的算法与RTD的线性化算法一样。激励电压VEX=2IREFR1,其中VEX为电桥两端激励电压。 function resizeImage(evt,obj){ n
XTR110是设计为模拟信号发送的精密电压-电流变换器,可将输入的0~5V或0~10V电压变换为4~20mA、0~20mA、5~25mA或其他常用电流输出。XTR110内含一个精密的金属膜电阻网络,提供输入定标和失调电流;一个10V基准电
如图所示,该电路要求输入电压VIN为0~10V,对应输出电流为4~20mA。如果需要其他的输入电压和输出电流范围,则按下表连接③、④、⑤、⑨、⑩脚。XTR110的传输电流为: 该电路中,RSPAN=R9=50Ω。
如图所示,该电路采用两个分立PNP三极管组成达林顿管,构成外部PNP晶体管QEXT电路,以扩大输出电流。这里不主张采用集成达林顿管,因为集成达林顿管内部的基极-发射极电阻会引起额外的误差。三极管的功耗取决于电源电
如图所示,XTR110内部基准电压源的输出电流为10mA,增加一个外部NPN晶体三极管QREF可以扩大输出电流。当VCC上升到40V时,取三极管QREF为2N3055,可扩大输出电流(可达100mA)。 function resizeImage(evt,obj){ newX
如图所示为0~10V输入电压、4~20mA输出电流的失调与跨度调节电路。R1为失调调节电位器,R2为跨度调节电位器。 失调调节方法:设置输入为非零的一个小电压,调节R1使输出有一个正确的电流值,然后使输入为零,则输出