电路图

与非门组成的宽延时触发器

如图所示是一个负脉冲触发的宽延时单稳态触发器，它提供了数秒的延时时间，用于定时精度要求不高的场合。图中延时主要决定于电容C。对于TTL电路来说，R的阻值一般为5～10kΩ。下表中列出了R=5.1kΩ时，延时的实测数

可控硅过零触发器KJ007零电流触发电路图

　　可控硅过零触发器KJ007能使双向可控硅的开关过程在电源电压为零或电流为零的瞬间进行触发。这样，负载的瞬态浪涌电流和射频干扰最小，可控硅的使用寿命也可以提高。该电路可用于恒温箱的温度控制、单相或三相电机

可控硅移相触发器KJ006外电路接线图

　　KJ006主要适用于交流供电的双向可控硅或反并联可控硅线路的交流相位控制。能由交 流电网直接供电并无需外加同步信号、输出变压器和直流工作电源，并且能直接与可控硅控制极直接耦合触发。具有锯齿波线性好、移相

可控硅过零触发器KJ009组成的应用电路图

　　KJ009的基本性能与KJ004相同，可以互换使用。由于器件内部采用了反向阻断四级硅晶闸管作脉冲记忆，提高了抗干扰能力和触发脉冲的前沿陡度，脉冲的宽度有较大的调节范围。该电路适用于单相、三相全控桥式供电装置

可控硅过零触发器KJ008作为零电流触发应用电路图

可控硅移相触发器KJ005外电路接线图

　　KJ005是KJ006的一种特殊情况。没有白生电源，不能直接用于交流供电的场合。该器件主要适用于双向可控硅或反并联可控硅线路的交流相位控制。需外加同步信号和外接直流工作电源。具有锯齿波线性好、移相范围宽、控

可控硅移相触发器KJ004的典型应用电路图

　　可控硅移相触发器KJ004电路适用于单相、三相全控桥式供电装置中，作可控硅的双路脉冲移相触发。电参数如下：电源电压：直流+15V，-l5V，允许波动±5％(±10％功能正常)。电源电流：正电流≤15mA，负电流≤10mA。

KJ001的典型应用电路图

　　可控硅移相触发器KJOOl主要用于单相、三相半控桥式供电装置中作移相触发器之用它具有温漂小，移相线性好，宽脉冲触发等优点。电参数如下：电源电压：直流+15V，-l5V，允许波动±5％(±10％功能正常)。电源电流：

KJT1调节控制板电原理图

KJTl调节控制板是由两级运算放大器组成的带有比例积分环节的电流、速度双闭环系统。该Pl调节板可以和KJZ2、KJZ3、KIz6及其它可控硅触发板配套使用，可完成单相、三相交流调压调速或直流调压调速的功能。其品质因数好

可控硅移相触发器KC04典型应用电路图

　　可控硅移相触发器KC04电路适用于单相、三相全控桥式供电装置中，作可控硅的双路脉冲移相触发。KC04器件输出两路相差l80的移相脉冲，可以方便地构成全控桥式触发器电路。该电路具有输出负载能力大、移相性能好、正

SN75369双MOS驱动器

SN75369是用于TTL电路与大电流高电压之间的通用接口，具有反相的逻辑功能，低功耗。其TTL电平与高电压大电流间的接口，能驱动高容量负载，与多种MOS RAM和MOS移位寄存器相容，采用标准双极型和MOS电源，开关速度高。

SN75370双MOS存储器接口

SN75370是一种单片集成读／写接口电路，可用于4062以及同类型的MOS RAM与TTL电路之间的输入／输出接口。它能直接与4062等类似MOS RAM的I／O接口，写入操作时，驱动器可提供一互补的高电压输出，读出操作灵敏度高，TT

SN75480高压七段译码器/阴极驱动器

如图所示为用SN75480驱动16进制的气体放电显示器接线图。 function resizeImage(evt,obj){ newX=evt.x; newY=evt.y; obj.width=newX; obj.height=newY; }

SN75490热敏式印刷头驱动器

SN75490用来驱动许多常用的热敏式印刷头，内含6个具有共同选通脉冲的与门驱动器，每个驱动器有一个图腾柱输出，标定输出电压范围为4．75～3．5V，输入端与TTL和5V CMOS相容，电源电流容量为30mA。吸收电流容量为50mA

CD4051、CH3130组成的多通道解调器

本电路主要由8通道模拟转换开关CD4051和电压跟随器CH3130等元件构成，通过模拟转换开关CD4051的禁止端“INH”输入信号来控制电压跟随器CH3130的选通，从而对多路模拟调制信号进行解调。 function resizeImage(evt,o