嵌入式
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旺宏飞索 将在车用领域厮杀
前编码型快闪存储器(NOR Flash)龙头飞索(Spansion)脱离破产保护后，宣告复出，初期锁定车用领域产品，再度与旺宏(2337)杠上。近期NOR Flash市况松动，飞索全力复出抢市，恐
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创业板包装样本：朗科科技创始人翻脸 股价腰斩
李保华 廖杰华朗科科技(下称“朗科”，300042)在上市9个多月后股价跌幅近半。上市后朗科遭遇了专利失效、业绩下降、董事长辞职的窘迫。同时也敲响了创业板公司的
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甲骨文在美起诉美光科技：或与反垄断有关
北京时间9月25日上午消息，据国外媒体报道，法院纪录显示，甲骨文美国今天向加州圣何塞联邦法院提起了对全球第二大内存芯片厂商镁光科技的诉讼。目前在法院的网站上还找不到
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旺宏75纳米NOR Flash第4季量产
据港台媒体报道，全球非挥发性内存领导厂商旺宏电子宣布，由于制程技术研发成果顺利，其生产制造的NOR型闪存(NOR Flash Memory)，将跳过90纳米制程，直接导入至75纳米，并
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LSI 推出服务器 RAID 性能的6Gb/s SAS RoC
日前，LSI 公司 (NYSE: LSI) 宣布将向 OEM 客户推出最新款 6Gb/s SAS 片上 RAID (ROC) IC，与其前代产品相比，该解决方案实现了 RAID 5 随机每秒输入/输出 (IOPS) 超过两倍
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尔必达传来台发TDR 闯关恐不易
台湾TDR市场有机会再添一档重量级新兵!券商圈传出日系DRAM大厂尔必达(Elpida)有意来台申请TDR挂牌，藉此拓展多元化的募资管道。然而，据了解，券商界目前为止尚无人筹组承销
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三星将在其智能手机设备上改用miviNAND闪存
三星昨日宣布，不久后将全面采用moviNAND高性能嵌入式存储器芯片来取代现有智能手机上的闪存芯片，新的存储器将是第一个完全符合JEDEC标准的嵌入式闪存，带来了更高优先级的
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惠普海力士合作开发忆阻器存储
惠普公司今天宣布，已经和韩国海力士半导体达成合作研发协议，双方将共同致力于在未来的产品中使用Memristor忆阻器技术，即使用电阻实现存储的ReRAM(Resistive Random Acc
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美科学家开发出宽度5纳米忆阻器
上世纪60年代，英特尔公司创始人之一戈登·摩尔提出了著名的摩尔定律:集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔18个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。然而，芯片的进一
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清华大学开发新技术改善MRAM存储速度与功耗
来自北京清华大学的研究人员开发出一种新技术，号称能让MARM的储存速度与功耗大幅改善;这种电子开关(electrical switching)技术写入位元所需的能源较少。上述新技术的基本
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基于CPLD的数据采集与显示接口电路仿真设计
0 引 言CPLD称为复杂可编程逻辑设计芯片，它是大规模可编程器件，具有高集成度、高可靠性、高速度的特点。CPLD是利用EDA技术进行电子系统设计的载体。硬件描述语言是EDA技术
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FTDI在IIC2009深圳站上展示USB产品
USB接口已经成为今天数字电子产品的标准接口，不仅在与PC相关的各种电子产品中被大量采用，而且在越来越多的大批量消费电子产品中也被广泛地应用，如今天出货的许多DVD播放
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嵌入式系统智能键盘的软件设计
键盘是智能化测控系统主要的信息输入方式，是实现人机对话的重要途径，因此如何有效地控制键盘并为系统服务是每个设计者需要切实考虑的问题。嵌入式系统键盘软件设计存在3方
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基于SOPC技术的内存映射型LCD控制器设计研究
0 引 言LCD以其低工作电压、低功耗、显示效果好、易集成和轻巧便携等特点率先进入平板显示市场并不断拓宽其应用领域。随着数字化作战模式的发展，LCD必将越来越多地被应用于
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基于Nios II的AT24C02接口电路设计
0 引 言在实际的应用中，为了保护现场，经常需要将系统断电之前的工作状态与重要运行数据保存在非易失存贮器中，以便在下次开机时，能恢复到原来的工作状态。针对这种保存的
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