英特尔生产下一代芯片 采用65纳米制造工艺

　　新浪科技讯　美国东部时间11月24日(北京时间11月25日)消息，英特尔日前表示其已经生产出65纳米制造工艺的芯片，这一点强烈表明公司将继续遵循摩尔定律。

　　位于加州圣克拉拉的芯片制造商英特尔公司周一宣布它已经通过65纳米工艺制造出一种SRAM内存，并将于2005年开始将此工艺大规模应用于芯片生产当中。当今市场上大多数PC微处理器是建立在130纳米工艺上的，制造商开始生产90纳米芯片也是刚刚才发生的事情。

　　减少芯片体积可以改善芯片性能，节约成本，还可以大大降低能耗。65纳米芯片不包含三门晶体管或金属门技术以及高K值绝缘体。这些技术可能会在2007年面市的45纳米芯片中展露头角。65纳米芯片也不包含IBM的绝缘体表硅(SOI)技术。英特尔有关人士指出，“我们并未发现SOI技术有哪些巨大的性能优势。”

　　很多工程人员和行政人员表示，制造工艺的先进性越来越难以实现。英特尔和AMD都不得不推迟90纳米芯片的发布。而且很多公司在2001年向130纳米制造工艺转化时就已经遭遇了诸多问题。然而，英特尔有关人士还是指出，英特尔在未来十年当中仍将遵循摩尔定律。

　　9月份，英特尔总裁保罗-奥特利尼(Paul Otellini)曾表示公司也生产出了基于65纳米工艺水平的晶片以及45纳米工艺水平的晶体管和用于32及22纳米工艺的原型晶体管。这将使公司现有工艺水平保持到2011年。(陈立荣)