英特尔称芯片漏电技术获突破 07年商用

　　据国外媒体报道，英特尔今天宣称在解决芯片漏电的问题上取得重大进展。随着芯片生产工艺的提升，漏电已经成为制约芯片技术进一步发展的主要瓶颈，这一问题在手机芯片和其它便携设备芯片领域尤为突出。

　　目前，漏电已经成为缩短电池待机时间和芯片过热的根源。业内人士认为，如果这一问题不能得到有效解决，芯片生产工艺的提升速度将会减缓，从而推动整个电子产业发展的动力也就不复存在。

　　电池待机时间对于笔记本电脑和手机等产品至关重要，因此它们对于芯片功耗有着特殊的要求。英特尔表示，该公司正在开发一种单独的生产工艺，专门用于笔记本电脑或手机芯片的生产，这种生产工艺可以将漏电的比例降至原来的千分之一。据英特尔高管称，该公司已经开发出采用新生产工艺的原型芯片，但这一生产工艺要到2007年初才能投入商用。英特尔工艺架构和集成部门主管马克-波尔(Mark Bohr)表示：“在解决漏电问题的过程中，我们已经取得了突破性进展。”

　　除英特尔之外，其它公司也在试图解决漏电的问题。德州仪器近日公布了一项名为“SmartFlex”的新技术，可以从一定程度上减少漏电。分析人士预计，德州仪器、飞思卡尔以及其它芯片厂商将会仿效英特尔的一些技术。(摩尔）