新内存芯片材料实现速度高于闪存千倍

    北京时间12月12日消息，据国外媒体报道，由IBM、旺宏(Macronix)和奇梦达(Qimonda)等企业组成的研发团队近日表示，已开发出能制造高速“相变(phase-change)”内存的材料；与当前常用的闪存相比，相变内存运行速度高于前者500~1000倍，能耗也将大幅度降低。

　　据悉该新型材料为复合半导体合金。IBM纳米科学部门资深经理斯派克·纳拉洋(Spike Narayan)表示：“凭借相变内存，可完成很多闪存目前所不能完成的任务。”在即将举行的旧金山“2006年国际电子设备大会”上，研发人员将公布这项技术进展的详情。该研发团队称，相变内存能满足电子产业“小体积、低能耗”的需求，并有望取代闪存目前的主导地位。

　　IBM技术部门副总裁T.C.陈(T.C Chen)表示，不少专家预计，用不了多久，闪存将面临如何缩小体积的挑战，而相变内存能在保持极小体积的同时发挥高性能。研发从员还表示，虽然上述新材料是首次开发，但科学家对相变技术的研究已有数十年历史，一些研究成果已被应用于DVD和CD产品之中。纳拉洋称，三星和英特尔也一直在进行相变内存设备的开发。

　　奇梦达副总裁威廉·贝恩沃格尔(Wilhelm Beinvogl)称，相变内存将在未来内存系统中扮演重要角色。