台积电投资未来 扩充研发、设计核心部门
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台积电首场技术论坛率先在旧金山举行,台积电总执行长蔡力行以投资未来「Invest to the Future」为题表示,尽管目前确实看到客户急单需求,但未来依然充满挑战,台积电抱以谨慎乐观态度。台积电指出,在此时前景混沌未明之际,将逆势扩增核心部门,研发团队将扩充30%人力、设计服务部门也将再增15%员额。台积电近来确实已经透过内部网站大举扩充研发与设计专才。
不论研发或是设计服务部门,都是台积电延续往22纳米制程技术前进必要的核心领域,台积电40纳米制程已进入量产阶段,32纳米与28纳米制程可能在2009年底进入试产阶段,而22纳米制程则处于早期研发阶段,最快可能2011~2012年才成真,而针对22纳米制程台积电已经与设备商共同研发多重电子束(Multiple e-beam)曝光技术,并移入台积电研发厂区。
蔡力行表示,台积电投资研发的决心不会改变,事实上包括核心部门的研发团队、设计服务部门都将逆势扩增人力,以目前台积电研发约1,200人看来,未来还将大举扩充30%人力;而在替客户设计服务方面,目前已经从2008年增加至600人,未来还将续增15%人力。事实上,台积电内部网站近日已积极向外征才,在多数半导体厂商裁员的情况下,逆势吸引、挑选人才的动作引起业界注目。
事实上目前半导体产业尚未见到整体复苏情况,许多半导体业者包括IC设计、IC设备、自动化设计平台(EDA)业者都大举裁员,正让台积电可以吸收这批专才,为台积电所选用。台积电日前针对生产线瘦身,这回再次征才针对研发与设计部门,一减一增之间已达到某种程度的组织结构重整目的。
此外,台积电也展现在利基型生产制程的企图心,包括推出类比混讯设计套件(design kits)采用先进的65纳米制程;以成熟制程的0.11微米半世代制程投入未来200万、500万甚至800万画素CMOS感测元件;而在6月台积电的12寸厂也将正式提供矽穿孔(TSV)封测制造服务。如外界所预期的,台积电也正积极扩充40纳米制程设备与产能。