FRAM微控制器让世界变得更加智能

 MSP430以超低功耗威震微控制器领域，FRAM具备非易失性数据存储特性、无限次读写、高速读写以及低功耗等优势，现如今，德州仪器（TI）将这两个优势产品相结合，推出超低功耗铁电随机存取存储器 (FRAM) 16位微控制器MSP430FR57xx FRAM系列。与基于闪存和EEPROM的微控制器相比，该FRAM系列可确保100倍以上的数据写入速度和250倍的功耗降幅。此外，这种片上FRAM还可在所有的电源模式中提供数据保存功能，写入次数几乎不受限制。

德州仪器MSP430业务拓展经理刁勇谈到让世界更加智能需要两个基本条件，即需要部署更多的传感器以及这些传感器需要实时采集更多的数据，而满足这两点就需要面对如下挑战，怎样降低传感器的功耗，解决供电问题，另外如何能够实时的拿到更多的数据。MSP430FR57xx FRAM微控制器成为解决这两大挑战的最佳答案。

据刁勇介绍，与FLASH存储技术相比，FRAM的擦写速度提高了100倍，因而在考虑同样数据写入时FRAM的消耗的功耗大大降低。据悉，当从FRAM中执行代码时，可将目前业界最佳功耗水平降低50%，工作电流为100μA/MHz（主动模式）和3μA（实时时钟模式）。FRAM的擦写次数可以超过100万亿次，写入次数几乎没有限制。此外，在没有电源支撑的情况下，FRAM可以保存所有数据。尽管SRAM的读写速度和写入次数可同FRAM相媲美，但是SRAM掉电数据会丢失。因而，TI的MSP430系列微控制器集成FRAM存储器，解决了传感器网络所面临的上述挑战。

 
                   常用存储器特性对比

FRAM能够满足微控制器对存储器的要求外，还能够统一存储器，将SRAM、EEPROM、Flash所有功能集中在一个FRAM存储器上，简化工程师的设计过程，允许开发人员利用软件来轻松改变程序、数据以及缓存之间的内存分配。

FR57xx MCU基于TI低功耗、130nm嵌入式FRAM工艺，具备密度高达16kB的集成型FRAM以及模拟和连接外设选项，包括10位ADC、32位硬件乘法器、多达5个16位定时器和乘法增强型SPI/I2C/UART总线。

        MSP430FR57xx FRAM功能框图