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[导读] 受惠于全球智能手机的持续热销,DRAM产业在过去的一年获利颇丰,TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange预估2015年的DRAM总产值将达512亿美元规模,年成长为12%,为市

 受惠于全球智能手机的持续热销,DRAM产业在过去的一年获利颇丰,TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange预估2015年的DRAM总产值将达512亿美元规模,年成长为12%,为市场稳定增长获利的一年。其中,2014年移动内存占整体DRAM产出的36%,2015年将有机会突破40%大关。

2015年第一季度,受DRAM合约均价下跌影响,加上笔记本电脑市场与智能手机步入传统淡季,因此全球DRAM产业第一季总产值衰退达7.5%,营收仅120亿美元。进入第二季度,台湾两大DRAM厂南亚科和华亚科均保守预期,认为DRAM售价可能继续下滑。华亚科财务长沈道邦认为:“Q2移动DRAM价格将缓跌,平均销售价格可能比Q1更差。”来自南亚科资深副总李培瑛表示:“预期需求依然热络,相比Q1的微幅供过于求,Q2的DRAM整体市场将恢复平稳,第三季度供不应求缺口不排除扩大,全年来看还是小幅供不应求。”

2015年Q1全球DRAM厂自有品牌内存营收排名

DRAM产业走过了景气谷底,加上需求的持续保障,DRAM厂重新开始考虑建厂,从去年下半年开始陆续启动扩建新厂,各家产能竞赛再起,并稳步升级工艺。今年以来,中国政府积极扶持自有DRAM产业,各项政策与收购动作浮上台面,搅局这一竞争格局相当稳定的市场。

韩台厂商陆续扩产升级工艺

三星与SK海力士不约而同在2014年宣布扩建新厂的消息,产能竞赛再起的传闻甚嚣尘上。但事实上,三星与SK海力士都将依据市场需求动态调整产能,三星在扩建Line17的同时,Line16DRAM产能已悄悄缩减并归还给NAND事业部使用。而SK海力士M14预计在明年第四季才有少量投片,较大规模的投片将在2016年才会浮现。美光也启动台湾R2厂部分空间。

台资厂商的产能扩充相对谨慎,扩厂步伐步步为营,以避免过去失控性扩张。南亚科总经理高启全强调,此次投资400亿元台币建厂,只是为了月产能维持在6万片规模,原先构想将5~6万片都升级到20nm,但是资金需求量剧增至600亿台币而将投资规模缩减。华亚科也启动美亚厂,维持现有产量。

DRAM厂的工艺升级与产品比重分配,也将影响供需、价格。韩系DRAM厂25nm工艺在2014年下半年已迈入成熟期,无论良率与投片规模都成为DRAM主流规格。至于20nm工艺,三星已进入验证阶段,良率表现稳健,预计年末产出比例将逼近60%,仍是DRAM厂中的技术领先者。SK海力士预计在明年第二季初进入市场,营收虽然受到价格下滑而减少,但工艺升级25nm所带来成本降低,依然让SK海力士有着稳健的获利。美光集团因为不少产能比重还在30nm工艺以下,20nm工艺升级也不如预期。

台系厂商部分,南亚科目前在30nm微缩工艺顺利导入,预计产出年末将超过50%,成本下降同时预计获利也会持稳,20nm工艺预计明年才有机会导入量产行列。力晶受到标准型内存价格下滑影响,营收衰退7.9%,但25nm工艺已进入试产阶段,最快年末可以导入量产。华邦由于无标准型内存产品产出,多以利基型内存与移动内存为主,加上整体产能量满载,营收仅小幅衰退1.3%。

此外,在智能手机市场不断扩大的同时,2015年移动内存市占也逼近全球市场的40%,相较于标准型内存27%的占比,移动内存已跃升全球DRAM市场主流产品。从移动内存做观察,2015年主流规格仍是LPDDR3,产出量达60%以上,而新规格LPDDR4将首度应用在旗舰智能手机机种,无论省电机制与频率更胜LPDDR3,预计2015年市占率将达到15%。

中国踏上自有DRAM之路

三星半导体与SK海力士今年第一季度自有品牌内存市占率各为43%与27%,韩系厂商合计稳占全球市场七成市占,而美系厂商掌握将近22.5%,台系厂商瓜分剩余的5.4%。目前,三巨头垄断格局未改,市占率的饼图分布轻易不会改变,除非有新竞争者加入。

与此同时,DRAMeXchange统计显示,2014年中国市场的DRAM消化量金额为102亿美金,占全球营业额约20%。其中移动内存在中国的营业额更达到56亿美金,占中国市场总金额的55%;标准型内存与服务器内存也都分占中国DRAM的19%与11%。而中国笔记本电脑出货达2500万台,占全球14%;桌面计算机亦有3200万台,占全球25%,也显示出中国市场强劲的消费潜力。DRAMeXchange指出,中国DRAM市场规模已达二座100K投片规模的半导体厂,往后的电子产品对内存的需求只会越来越大,潜在产值超过百亿美元之上。

2014各内存产品在中国市场的份额

因此,中国此刻正积极发展自有半导体产业,意图搅局DRAM产业。今年3月,中国武岳峰资本宣布以6.4亿美元并购在美国上市的芯成半导体。此并购案虽为中国武岳峰资本主导,但尚包含eTownMemTekLtd.、清芯华创和华清基业,同时也与具官方色彩的上海市创业引导基金有合作,其中清芯华创也代表北京集成电路产业基金。因此,此次收购意味着上海与北京二大基金的合作,加上去年近期中国官方正式宣布了金额高达1200亿人民币的半导体政策,中国政府已在整合技术能量,往完整的DRAM之路积极迈进。

中国政府还与台湾DRAM业者洽谈合作机会,希望能藉由整合技术、人力并与国际接轨的优势,并结合中国市场规模与台湾生产技术,大幅降低每年中国市场DRAM的入超现状。据悉,目前有六个地方政府积极争取设立DRAM厂,而中国中央政府将会选出其中一个地方政府设厂,整合上游厂商发展出具中国自有的技术并绑定中、下游的产业结构成为一条龙的供应链,形成群聚效应。

不过,面对中国进军DRAM市场的雄心,台湾DRAM双雄双双指出,由于欠缺关键技术,“未来五到十年,不会对台湾造成威胁。”华亚科的沈道邦表示,“DRAM产业仰赖资金、人才与技术,目前技术都握在三大巨头手上,分别是三星、海力士及美光,大陆的DRAM发展蓝图尚不明确,但从零开始,至少得花五到十年。”南亚科的李培瑛也认为,高技术门槛带来了较高的难度,“唯一变数是,若三大厂愿意技术转让,并且提供盖厂、工艺到验证等支持,三年后就必须小心。”李培瑛继续表示,南亚科的应对之道是改善产品组合、成本,举例来说,30nm微缩产品今年首季占总产出五分之一,下半年将增至一半,未来升级20nm技术,产品组合将更多元。[!--empirenews.page--]

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