美光追赶三星,扩大在台投资加快先进制程布局
扫描二维码
随时随地手机看文章
美国内存大厂美光(Micron)合并华亚科技后,中国台湾地区成为美光的 DRAM 生产基地,内部设定以超越三星为目标,并全力冲刺 DRAM 和 3D NAND Flash 先进制程脚步,去年及今年总计投资 20 亿美元,将台中厂(原瑞晶)的制程提升至 1x 纳米,另外,集团今年也将在中国台湾地区扩大招募 1,000 名员工,要在先进制程技术上加快布局进度以赶上三星。
美光桃园厂营运长叶仁杰在农历春节后接任,他指出,美光整并前华亚科后,软件、后台、采购平台的整合,人员融合等进度均顺利,目前该厂 12 万片的月产能已经全数转进 20 纳米制程,今年将以提升生产效率为目标。
另外,随着全球内存业整并潮持续进行,市场也传出美光将聚焦 DRAM 和 3D NAND Flash,退出编码型闪存(NOR Flash),拟处分旗下 NOR 芯片事业,并传出华邦电和中国兆易创新为可能的市场买家。美光内部证实确有此规划,但发言体系并未透露相关细节。华邦电总经理詹东义则表示并未听说,但会慎重进一步研究。